[发明专利]集成电路

说明书

技术领域

本发明实施例是有关于一种集成电路，且特别是有关于一种电容的形成方法且包含此电容的集成电路。

背景技术

电容是用来储存能量、被动且有两端点的电子装置，至少具有由介电区域所隔开的两电极。电容的电容量是正比于两电极的表面面积，并且反比于介电区域的厚度。有一种电容的类型为金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，MIM)电容。MIM电容包括由两金属电极所夹住的绝缘体，并且形成在后端线(back-end-of-line，BEOL)互连结构之中。

发明内容

本发明的实施例提出一种集成电路，其包括一电容。此电容包括下电极、电极间介电层与上电极。下电极包括金属层与在金属层之上的扩散阻绝层，金属层包括第一材料。电极间介电层设置在下电极之上。上电极设置在下电极之上，并由电极间介电层与下电极相隔开来，其中上电极不具有第一材料。

本发明的实施例提出一种电容的形成方法，包括：以第一材料形成下电极层；在下电极层之上形成电极间介电层；在电极间介电层之上形成上电极层，其中上电极层并没有包含第一材料；对上电极层与电极间介电层实施第一蚀刻以形成上电极；以及对下电极层实施第二蚀刻以形成下电极。

本发明的实施例提出一种集成电路，其包括一电容。此电容包括下电极与上电极。下电极包括金属层与一对扩散阻绝层，这对扩散阻绝层分别设置于金属层的下表面与金属层的上表面。金属层为第一材料，所述的一对扩散阻绝层为第二材料，并且第二材料不同于第一材料。上电极设置于下电极之上，并且由电极间介电层与下电极相隔开来。上电极只包括第二材料，并且上电极与电极间介电层具有相同的宽度。

在上述的集成电路与形成方法中，由于上电极不是由铝铜所形成，因此可避免对于上电极侧壁的损坏。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

当结合附图阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的态样。应该强调的是，根据工业中的标准作法，各种特征并没有按比例绘示。实际上，为了清楚的讨论，各种特征可以被任意增大或缩小。

图1A是根据一些实施例绘示集成电路的剖面图，此集成电路包括MIM电容，其中上电极的侧壁并不会受到损坏；

图1B是根据一些实施例绘示图1A的集成电路的扩展剖面图；

图2是根据一些更具体的实施例所绘示的图1A的集成电路的剖面图；

图3至图11是根据一些实施例绘示MIM电容的制作方法的一系列剖面图，其中上电极的侧壁并不会受到损坏；

图12是根据一些实施例绘示图3至图11的方法的流程图。

具体实施方式

以下的揭露提供了各种不同的实施例或例子，用以实作所提供标的的不同特征。为了简化本发明，一些元件与布局的具体例子会在以下说明。当然，这些仅仅是例子而不是用以限制本发明。例如，若在后续说明中提到了第一特征形成在第二特征上面，这可包括第一特征与第二特征是直接接触的实施例；这也可以包括第一特征与第二特征之间还形成其他特征的实施例，这使得第一特征与第二特征没有直接接触。此外，本发明可能会在各种例子中重复图示符号及/或文字。此重复是为了简明与清晰的目的，但本身并不决定所讨论的各种实施例及/或设置之间的关系。

再者，在空间上相对的用语，例如底下、下面、较低、上面、较高等，是用来容易地解释在图示中一个元件或特征与另一个元件或特征之间的关系。这些空间上相对的用语除了涵盖在图示中所绘的方向，也涵盖了装置在使用或操作上不同的方向。这些装置也可被旋转(例如旋转90度或旋转至其他方向)，而在此所使用的空间上相对的描述同样也可以有相对应的解释。

制作MIM电容的一些方法包括依序在互连结构的下部分之上形成一下电极层，在下电极层之上形成介电层，以及在介电层之上形成上电极层。之后，利用微影蚀刻来图案化上电极层与下电极层以形成上电极与下电极，其中上电极是由介电层与下电极相隔开来。通常，上电极与下电极分别包括铝铜层，以及遮盖住铝铜层的氮化钛层。