[发明专利]成像装置和电子设备有效
| 申请号: | 201610623971.0 | 申请日: | 2012-03-07 |
| 公开(公告)号: | CN106098716B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
| 发明(设计)人: | 荻田知治;山本笃志;田谷圭司;大塚洋一;田渕清隆 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 曹正建,陈桂香 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 成像 装置 电子设备 | ||
1.一种成像装置,其包括:
多个光电转换元件;
多个滤色器部件,所述多个滤色器部件包括第一滤色器部件和第二滤色器部件;
遮光部,在截面图中,所述遮光部的至少一部分布置在所述第一滤色器部件与所述第二滤色器部件之间;以及
透明膜,在所述截面图中,所述透明膜的至少一部分布置在所述第一滤色器部件与所述遮光部之间,
其中,所述透明膜的面对所述第一滤色器部件和所述第二滤色器部件的表面是非平坦的,且
所述透明膜的厚度小于所述遮光部的厚度,使得所述第一滤色器部件和所述第二滤色器部件的一部分嵌入所述遮光部的层中。
2.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述多个光电转换元件包括与所述第一滤色器部件对应的第一光电转换元件和与所述第二滤色器部件对应的第二光电转换元件。
3.根据权利要求1所述的成像装置,其还包括:
半导体基板,所述半导体基板具有第一侧和与所述第一侧相反的第二侧,
其中,所述第一侧是光入射侧,且
所述半导体基板包括所述多个光电转换元件。
4.根据权利要求3所述的成像装置,其还包括:
绝缘膜,所述绝缘膜布置成靠近所述第一侧。
5.根据权利要求4所述的成像装置,其中,在所述截面图中,所述绝缘膜布置在所述透明膜与所述第一侧之间。
6.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述透明膜接触所述第一滤色器部件和所述第二滤色器部件。
7.根据权利要求1所述的成像装置,其还包括:
元件隔离区域,所述元件隔离区域布置在所述多个光电转换元件中的相邻的光电转换元件之间。
8.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述透明膜包括粘合剂膜。
9.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述第一滤色器部件和所述第二滤色器部件是平坦的。
10.根据权利要求1所述的成像装置,其还包括:
第一微型透镜,所述第一微型透镜布置在所述第一滤色器部件上;及
第二微型透镜,所述第二微型透镜布置在所述第二滤色器部件上。
11.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述透明膜包括从包括丙烯酸树脂、酚醛树脂、硅氧烷树脂或其共聚物以及环氧树脂的群组中选择的材料。
12.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述透明膜包括氧化物膜。
13.根据权利要求12所述的成像装置,其中,所述氧化物膜设置在所述遮光部的一个表面上。
14.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述多个滤色器部件中的各个滤色器部件的厚度为100nm至1μm。
15.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述多个滤色器部件包括从绿色、红色和蓝色中选择的至少两种不同颜色的滤色器。
16.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述多个滤色器部件包括ND滤色器。
17.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述透明膜包括氮化物膜。
18.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述遮光部包括从由铝和钨构成的群组中选择的材料。
19.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述遮光部包括从由碳黑和钛黑构成的群组中选择的材料。
20.根据权利要求1所述的成像装置,其中,所述第一滤色器部件和所述第二滤色器部件的一部分在所述遮光部的层上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





