[发明专利]静态随机存取存储器阵列、追踪单元以及阵列配置方法

说明书

一种静态随机存取存储器阵列、追踪单元以及阵列配置方法。其中，静态随机存取存储器阵列包括可写入静态随机存取存储器单元以及静态随机存取存储器读取电流追踪单元。可写入静态随机存取存储器单元以及静态随机存取存储器读取电流追踪单元设置于静态随机存取存储器阵列的第一列中。静态随机存取存储器读取电流追踪单元包括第一读取下拉晶体管以及第一读取通道闸晶体管。第一读取下拉晶体管包括第一栅极、第一源极/漏极以及第二源极/漏极。第一读取通道闸晶体管包括第三源极/漏极以及第四源极/漏极。读取追踪位元线电性连接至读取感测放大器时序控制电路。本发明可提高静态随机存取存储器的效率。

技术领域

本发明涉及静态随机存取存储器阵列，特别涉及一种包括可写入静态随机存取存储器单元以及静态随机存取存储器读取电流追踪单元的静态随机存取存储器阵列。

背景技术

静态随机存取存储器阵列经常被使用作为集成电路装置中的数据储存装置。鳍式场效晶体管技术中最新的发展为鳍式场效晶体管可使用于静态随机存取存储器单元中。静态随机存取存储器阵列的性能往往取决于静态随机存取存储器阵列的布局。举例来说，静态随机存取存储器单元形成于静态随机存取存储器阵列中的位置有时将造成静态随机存取存储器阵列中较内部的单元与静态随机存取存储器阵列的边缘单元以不同的方式执行。因此，静态随机存取存储器单元的布局将可用于提高静态随机存取存储器阵列的效率。

发明内容

本发明一实施例提供一种静态随机存取存储器阵列，包括一可写入静态随机存取存储器单元以及一静态随机存取存储器读取电流追踪单元。可写入静态随机存取存储器单元设置于静态随机存取存储器阵列的一第一列中。静态随机存取存储器读取电流追踪单元设置于静态随机存取存储器阵列的第一列中。静态随机存取存储器读取电流追踪单元包括一第一读取下拉晶体管以及一第一读取通道闸晶体管。第一读取下拉晶体管包括一第一栅极、一第一源极/漏极以及一第二源极/漏极。第一栅极电性连接至一第一正电源电压线。第一源极/漏极电性连接至一第一接地电压线。第一读取通道闸晶体管，包括一第三源极/漏极以及一第四源极/漏极。第三源极/漏极电性连接至第二源极/漏极。第四源极/漏极电性连接至一读取追踪位元线。读取追踪位元线电性连接至一读取感测放大器时序控制电路。

本发明另一实施例提供一种静态随机存取存储器追踪单元，包括一第一栅极电极、一第二栅极电极以及一第二主动区。第一栅极电极设置于一第一反相器的一第一主动区上。第二主动区位于第一栅极电极以及第二栅极电极下方。第二主动区提供了一第一源极/漏极区域、一第二源极/漏极区域以及一第三源极/漏极区域。第一源极/漏极区域电性连接至一接地电压线。第二源极/漏极区域设置于第一栅极电极上相对于第一源极/漏极区域的一侧。第二源极/漏极区域还设置于第一栅极电极以及第二栅极电极之间。第三源极/漏极区域电性连接至一追踪位元线。追踪位元线电性连接至一读取感测放大器时序控制电路。

本发明另一实施例提供一种静态随机存取存储器阵列配置方法，步骤包括：将一静态随机存取存储器读取电流追踪单元与一可写入静态随机存取存储器单元设置于一静态随机存取存储器阵列的同一列中；将第二栅极通过第一栅极的一栅极接点电性连接至一正电源电压线；将第一源极/漏极电性连接至一接地电压线；将第三栅极电性连接至一读取电流追踪控制电路；将第四源极/漏极电性连接至一追踪位元线；以及将追踪位元线电性连接至一读取感测放大器时序控制电路。静态随机存取存储器读取电流追踪单元包括一第一反相器、一第一读取下拉晶体管以及一第一读取通道闸晶体管。第一反相器包括一第一栅极。第一读取下拉晶体管包括一第二栅极、一第一源极/漏极以及一第二源极/漏极。第一读取通道闸晶体管包括一第三栅极、一第三源极/漏极以及一第四源极/漏极。第三源极/漏极电性连接至上述第二源极/漏极。

附图说明

本发明可通过阅读以下详细说明以及范例并配合相应的附图以更详细地了解。需要强调的是，依照业界的标准操作，各种特征部件并未依照比例绘制，并且仅用于对其进行说明目的。事实上，为了清楚论述，各个特征部件的尺寸可以任意地增加或减少。