[发明专利]形成图案的方法

权利要求书

1.一种形成图案的方法，其包括：

提供衬底，在所述衬底上形成目标层；

在所述目标层上涂布光刻胶层；

执行光刻工艺以将所述光刻胶层图案化为多个第一抗蚀图案，所述多个第一抗蚀图案中的每一者具有宽度L₁；

在所述第一抗蚀图案上全面沉积定向自组装DSA材料层，其中所述DSA材料层填满所述第一抗蚀图案之间的空隙；

对所述DSA材料层进行自组装过程，以在所述第一抗蚀图案上形成第一嵌段共聚物图案、并在相邻的第一抗蚀图案之间的间隙上形成第二嵌段共聚物图案，每个第一嵌段共聚物图案具有大于所述宽度L₁的宽度W₁；

移除所述第二嵌段共聚物图案，以在所述目标层上形成第二抗蚀图案，其中所述第二抗蚀图案覆盖所述多个第一抗蚀图案中的每一者且具有大于所述宽度L₁的宽度W₁；以及

将所述第二抗蚀图案和所述多个第一抗蚀图案一起用作蚀刻硬掩膜，执行蚀刻工艺以将所述第二抗蚀图案转移至所述目标层。

2.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其中提供在其上具有目标层的衬底包括提供在其上具有包含氧化硅，氮化硅，硅或多晶硅的所述目标层的所述衬底。

3.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其中执行光刻工艺以将所述光刻胶层图案化为形成所述第一抗蚀图案的每一者的多个第一抗蚀图案，所述第一抗蚀图案的所述每一者的所述宽度L₁与所述空隙的宽度相同。

4.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其中执行光刻工艺以将所述光刻胶层图案化为形成所述第一抗蚀图案的每一者的多个第一抗蚀图案，所述第一抗蚀图案的所述每一者的所述宽度L₁与所述空隙的宽度不相同。

5.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其中沉积定向自组装DSA材料层包括沉积包含嵌段共聚物的所述DSA材料层。

6.根据权利要求5所述的形成图案的方法，其中沉积包含嵌段共聚物的所述DSA材料层包括沉积包含苯乙烯及聚甲基丙烯酸甲酯的所述嵌段共聚物。

7.根据权利要求6所述的形成图案的方法，其中对所述DSA材料层进行自组装过程包括在低于所述嵌段共聚物的玻璃转化温度Tg的温度下执行所述自组装过程。

8.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其中将光刻胶层涂布到所述目标层上包括以10-50纳米范围内的超薄厚度涂布所述光刻胶层。

9.根据权利要求1所述的形成图案的方法，进一步包括移除所述第二抗蚀图案和所述多个第一抗蚀图案。

10.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其中移除所述第二嵌段共聚物图案以形成第二抗蚀图案包括以所述宽度W₁形成所述第二抗蚀图案。

11.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其中移除所述第二嵌段共聚物图案以形成第二抗蚀图案包括移除所述第二嵌段共聚物图案而不移除所述第一嵌段共聚物图案。

12.根据权利要求1所述的形成图案的方法，其中移除所述第二嵌段共聚物图案以形成第二抗蚀图案包括形成包含所述第一嵌段共聚物图案的所述第二抗蚀图案。