[发明专利]一种FinFET器件及制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201610607628.7 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107665824B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王彦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/306;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种FinFET器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成有鳍片材料层和种子层，所述种子层用以作为刻蚀所述鳍片材料层的掩膜；
在所述种子层上形成具有开口图案的掩膜层，所述开口图案露出所述种子层；
在露出的所述种子层上形成蚀刻催化剂层；
以所述掩膜层为掩膜、以所述蚀刻催化剂层为辅助执行化学蚀刻，以在所述种子层和所述鳍片材料层中形成开口和通过所述开口间隔的鳍片，其中，形成所述开口和所述鳍片的步骤包括：
以所述掩膜层为掩膜、以所述蚀刻催化剂层为辅助蚀刻所述种子层，以在所述种子层中形成所述开口；
以所述掩膜层和所述种子层为掩膜、以所述蚀刻催化剂层为辅助蚀刻所述鳍片材料层，以形成所述鳍片，以及其中，
以所述种子层和所述掩膜层为掩膜蚀刻所述鳍片材料层的步骤中采用的蚀刻液包括HF和KMnO4。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻所述种子层的步骤中蚀刻液包括H2O2和H2SO4。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述鳍片材料层包括三五族鳍片材料层。
4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述鳍片材料层包括InGaAs层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述种子层选用InP层。
6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述种子层的形成方法包括金属有机化合物化学气相沉积。
7.据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过电子束蒸发的方法形成所述蚀刻催化剂层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括去除所述掩膜层和所述蚀刻催化剂层的步骤。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括通过HCl和H3PO4去除所述种子层的步骤，以露出所述鳍片。
10.一种FinFET器件，其特征在于，所述FinFET器件通过权利要求1至9之一所述方法制备得到。
11.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求10所述的FinFET器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
