[发明专利]非晶硅薄膜太阳能电池及其制造方法有效
| 申请号： | 201610601867.1 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN106024919B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 刘坤;姚文浩;邓文宇;陈树雷;王东阳;巴德纯 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0376 |
| 代理公司： | 沈阳东大知识产权代理有限公司21109 | 代理人： | 赵嬛嬛 |
| 地址： | 110819 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非晶硅 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于由依次连接的柔性PET基片层、SiO2陷光层、第一电极TCO层、p型非晶硅层、p型缓冲层、i型非晶硅层、n型非晶硅层、第二电极TCO层和背反射层组成，其中所述柔性PET基片层厚度为0.001～0.125mm，所述SiO2陷光层厚度为400～800nm，并且在沉积SiO2陷光层后对SiO2陷光层表面进行刻蚀粗糙化处理，保证刻蚀出的所有凹陷均匀一致，并且凹陷横向宽度为1～5um；所述p型缓冲层厚度为5～20nm。
2.根据权利要求1所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于所述第一电极TCO层厚度为400～600nm，第二电极TCO层厚度为70～130nm。
3.根据权利要求1所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于所述p型非晶硅层厚度为10～35nm，i型非晶硅层厚度为200～400nm，n型非晶硅层厚度为15～30nm。
4.根据权利要求1所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于所述背反射层厚度为200～800nm，采用铝、金、银、铂、或铜材质，或者采用透明的金属氧化物：BZO、AZO、GZO、或ITO材质。
5.权利要求1所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于包括：提供柔性PET基片层；在柔性PET基片层上依次沉积SiO2陷光层、第一电极TCO层、p型非晶硅层、p型缓冲层、i型非晶硅层、n型非晶硅层、第二电极TCO层和背反射层。
6.根据权利要求5所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于所述方法还包括在沉积SiO2陷光层后对SiO2陷光层表面进行刻蚀粗糙化处理，保证刻蚀出的所有凹陷均匀一致，并且凹陷横向宽度为1～5um。
7.根据权利要求5所述的一种非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法，其特征在于所述沉积方法采用物理气相沉积方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
