[发明专利]电子设备在审
申请号: | 201610600543.6 | 申请日: | 2016-07-27 |
公开(公告)号: | CN106710626A | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 庆箕明;尹正赫 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人: | 李少丹,许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子设备 | ||
1.一种包括半导体存储器的电子设备,其中,半导体存储器包括:
单元阵列,包括按照多个列和多个行布置的多个电阻式存储单元;以及
访问电路,施加第一电压或第二电压给所述多个电阻式存储单元的选中存储单元的第一端,以及施加第三电压给选中存储单元的第二端,第三电压具有与第一电压的幅度实质上相同的幅度,且具有与第一电压的极性相反的极性。
2.如权利要求1所述的电子设备,其中,所述多个电阻式存储单元中的每个电阻式存储单元根据所述多个电阻式存储单元的所述每个电阻式存储单元中储存的数据的值而具有高电阻态或低电阻态。
3.如权利要求1所述的电子设备,其中,
当执行写入操作时,选中存储单元的电阻值在写入电压被施加给选中存储单元的第一端和第二端时改变,且数据被储存在选中存储单元中,以及
当执行读取操作时,与选中存储单元的电阻值相对应的读取电流在读取电压被施加给选中存储单元的第一端和第二端时流经选中存储单元。
4.如权利要求3所述的电子设备,其中,
第一电压具有与写入电压的一半相对应的幅度,且与写入电压具有相同的极性,以及
第二电压具有与通过从读取电压减去写入电压的一半的电压而得到的值相对应的幅度,第二电压与读取电压具有相同的极性。
5.如权利要求3所述的电子设备,其中,
第一电压具有与读取电压的一半相对应的幅度,且与读取电压具有相同的极性,以及
第二电压具有与通过从写入电压减去读取电压的一半的电压而得到的值相对应的幅度,第二电压与写入电压具有相同的极性。
6.如权利要求3所述的电子设备,其中,写入电压根据要写入至选中存储单元中的数据的值而变化。
7.如权利要求1所述的电子设备,其中,访问电路包括:
第一电压泵至第三电压泵,分别产生第一电压至第三电压;
第一驱动单元至第三驱动单元,施加第一电压至第三电压给选中存储单元的第一端和第二端;以及
第一电容器至第三电容器,第一电容器至第三电容器中的每个耦接在第一电压泵至第三电压泵中的对应的电压泵与第一驱动单元至第三驱动单元中的对应的驱动单元之间。
8.如权利要求1所述的电子设备,还包括微处理器,所述微处理器包括:
控制单元,被配置成从微处理器的外部接收包括命令的信号,并执行对命令的提取、解码或对微处理器的信号的输入或输出的控制;以及
操作单元,被配置成基于控制单元对命令解码的结果来执行操作;以及
存储器单元,被配置成储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或被执行操作的数据的地址,
其中,包括可变电阻元件的半导体存储器单元是微处理器中的存储器单元的部件。
9.如权利要求1所述的电子设备,还包括处理器,所述处理器包括:
核心单元,被配置成通过使用数据而基于从处理器的外部输入的命令来执行与命令相对应的操作;
高速缓冲存储器单元,被配置成储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或被执行操作的数据的地址;以及
总线接口,连接在核心单元与高速缓冲存储器单元之间,且被配置成在核心单元与高速缓冲存储器单元之间传输数据,
其中,包括可变电阻元件的半导体存储器单元是处理器中的高速缓冲存储器单元的部件。
10.如权利要求1所述的电子设备,还包括处理系统,所述处理系统包括:
处理器,被配置成对处理器接收的命令解码,并基于对命令解码的结果控制针对信息的操作;
辅助存储器件,被配置成储存用于对命令解码的程序以及信息;
主存储器件,被配置成:从辅助存储器件调用并储存程序和信息,使得处理器在运行程序时能够使用程序和信息来执行操作;以及
接口设备,被配置成执行处理器、辅助存储器件或主存储器件与外部之间的通信,
其中,包括可变电阻元件的半导体存储器单元是处理系统中的辅助存储器件或主存储器件的部件。
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