[发明专利]一种异质结电池的湿化学处理方法在审

专利信息
申请号: 201610594426.3 申请日: 2016-07-26
公开(公告)号: CN107658367A 公开(公告)日: 2018-02-02
发明(设计)人: 张杰;宋广华 申请(专利权)人: 福建金石能源有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 362000 福建省泉州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 异质结 电池 化学 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种异质结电池的湿化学处理方法,其特征在于:所述处理方法包括如下步骤:

将硅片放入含有臭氧的碱性液中进行预清洗,然后用去离子水漂洗;;

对预清洗后的硅片进行去损伤层处理,然后用去离子水漂洗干净;;

对去损伤层处理后的硅片放入碱性溶液和制绒添加剂的混合溶液中进行制绒,然后用去离子水漂洗;

将制绒处理后的硅片放入盐酸和氢氟酸的混合溶液中进行酸碱中和清洗,然后用去离子水漂洗;

将酸碱中和清洗后的硅片用HF/HCL/O3混合溶液进行圆润化清洗,去除有机物、金属离子以及氧化和蚀刻硅,圆润化硅片;

对圆润化清洗后的硅片进行后清洗;

将后清洗的硅片慢提拉脱水,并用氮气烘干。

2.根据权利要求1所述一种异质结电池的湿化学处理方法,其特征在于:所述步骤将硅片放入含有臭氧的碱性液中进行预清洗为将硅片放入中臭氧浓度为5-35ppm,质量百分比为0.01%-0.5%的氢氧化钾,预清洗在温度为30-50℃下处理2-10分钟。

3.根据权利要求1所述一种异质结电池的湿化学处理方法,其特征在于:所述步骤对预清洗后的硅片进行去损伤层处理为将硅片放入质量百分比为3%-20%,去离子水质量百分比为80%-97%的氢氧化钾溶液,反应温度为70℃-90℃下处理1-5分钟,去除掉表面的机械损伤层,硅片腐蚀深度为5-20um。

4.根据权利要求1所述一种异质结电池的湿化学处理方法,其特征在于:所述步骤对去损伤层处理后的硅片放入碱性溶液和制绒添加剂的混合溶液中进行制绒为将硅片放入质量百分比为0.5%-3%的氢氧化钾溶液中,温度为75-85℃下进行,制绒时间为15-40分钟。

5.根据权利要求1所述一种异质结电池的湿化学处理方法,其特征在于:所述步骤将制绒处理后的硅片放入盐酸和氢氟酸的混合溶液中进行酸碱中和清洗的混合溶液中盐酸所用的质量百分比为1%-5%,氢氟酸所用的质量百分比为0.5%-3%,硅片在温度为20-30℃的盐酸和氢氟酸的混合溶液中处理3-10分钟。

6.根据权利要求1所述一种异质结电池的湿化学处理方法,其特征在于:所述步骤圆润化清洗在HF/HCL/O3混合溶液中盐酸质量百分比在2%-10%,HF酸质量百分比在0.5%-5%,臭氧浓度在5-35ppm;硅片在温度为30-50℃的HF/HCL/O3混合溶液中清洗5-20分钟。

7.根据权利要求1所述一种异质结电池的湿化学处理方法,其特征在于:所述步骤后清洗为将放入硅片质量百分比为0.5%-8%的HF酸,质量百分比为92%-99.5%的去离子水,在温度为20℃-30℃的HF酸溶液中的处理1-6分钟。

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