[发明专利]刷新控制装置

说明书

一种刷新控制装置可以包括被配置成储存熔丝数据的熔丝阵列。刷新控制装置可以包括刷新控制器，刷新控制器包括单元阵列，单元阵列包括单位单元。刷新控制器可以被配置成基于熔丝数据来储存具有弱单元特性的字线的位置信息。刷新控制装置可以包括被配置成从选中单元的单元阵列接收数据的比较器，且可以被配置成比较该数据来判断弱字线的存在以执行或跳过对对应单元的刷新操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年4月15日提交的申请号为10-2016-0046342的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本公开的实施例总体而言可以涉及一种刷新控制装置，更具体地，涉及一种与刷新电流相关的技术。

背景技术

近年来，对用于移动电子装置(包括智能电话等)中的大容量动态随机存取存储器(DRAM)的消费需求快速增加。通常，储存在诸如DRAM的半导体存储器件的存储单元中的数据可以被泄漏电流改变。因此，需要用于周期性地对存储单元中储存的数据重新充电的刷新操作。

诸如DRAM的动态半导体存储器的存储单元将数据储存在电容性元件中。由于电荷从电容性元件的泄漏，必须周期性地刷新存储单元。刷新过程执行读取操作以将存储单元中储存的电荷的水平恢复至原始状态。

具体地，诸如双倍数据速率同步DRAM(DDR SDRAM)的半导体存储器件包括用于在其中储存数据的多个存储体，且每个存储体在其中包括数千万的存储单元。每个存储单元包括单元电容器和单元晶体管。半导体存储器件可以将单元电容器充电或放电以将数据储存在其中。

理想情况下，只要未使用额外的控制信号，单元电容器中储存的电荷就必须是恒定的。然而，单元电容器中储存的电荷因单元电容器与外围电路之间的电压差而不可避免地改变。

换言之，在对单元电容器充电的条件下，电荷可以泄漏到外部，或者在将单元电容器放电的条件下，可以接收电荷。改变单元电容器中储存的电荷量可以表示单元电容器中储存的数据被改变，导致储存的数据丢失。半导体存储器件可以执行刷新操作以防止储存的数据丢失。

随着时间的推移，已经开发了不同类型的刷新方法。通常，自动刷新方法被配置成使用位于存储芯片外部的刷新计时器，使得存储芯片可以响应于来自控制器的周期刷新命令来执行刷新操作。

自刷新方法被配置成使用位于存储芯片内部的刷新计时器，使得所有的存储芯片都被配置成从控制器请求刷新开始命令。

发明内容

根据本公开的一个实施例，一种刷新控制装置可以包括被配置成储存熔丝数据的熔丝阵列。该刷新控制装置可以包括刷新控制器，该刷新控制器包括单元阵列，单元阵列包括单位单元。该刷新控制器可以被配置成基于熔丝数据来储存具有弱单元特性的字线的位置信息。该刷新控制装置可以包括被配置成从选中单元的单元阵列接收数据的比较器，以及可以被配置成比较该数据来判断弱字线的存在，以执行或跳过对对应的单元的刷新操作。

附图说明

图1是图示根据本公开的一个实施例的刷新控制装置的示例代表的框图。

图2是图示包括图1中所示的刷新控制装置的半导体器件的示例代表的示意图。

图3是图示图1的操作的示例代表的时序图。

图4是图示图1中所示的刷新控制器的示例代表的示意图。

图5是图示图1的操作的示例代表的流程图。

图6是图示根据本公开的一个实施例的刷新控制装置的示例代表的框图。

图7是图示图6的操作的示例代表的时序图。

图8是图示根据本公开的一个实施例的刷新控制装置的示例代表的框图。