[发明专利]原位调控材料微结构制备熔石英微透镜阵列的方法有效
申请号: | 201610585108.0 | 申请日: | 2016-07-22 |
公开(公告)号: | CN106125166B | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 张传超;廖威;杨科;王海军;张丽娟;陈静;蒋一岚;蒋晓龙;栾晓雨;周海;袁晓东;郑万国 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
主分类号: | G02B3/00 | 分类号: | G02B3/00 |
代理公司: | 重庆为信知识产权代理事务所(普通合伙)50216 | 代理人: | 龙玉洪 |
地址: | 621900 四川省绵*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 原位 调控 材料 微结构 制备 石英 透镜 阵列 方法 | ||
1.一种原位调控材料微结构制备熔石英微透镜阵列的方法,其特征在于,按照以下步骤进行:
S1:设置二氧化碳激光器的参数;
S2:使用声光调制器从二氧化碳激光器获得频率和脉宽均稳定的二氧化碳激光;
S3:对二氧化碳激光扩束后,使用扫描场镜对二氧化碳激光进行聚焦;
S4:设置振镜逐行扫描的扫描路径,并设置扫描速度以及扫描行间距;
S5:将熔石英样品置于二氧化碳激光的焦点处,利用振镜驱动聚焦后的二氧化碳激光辐照熔石英样品的表面,以改变熔石英样品受二氧化碳激光辐照位置的熔石英材料微结构,使熔石英样品上形成多个微结构调控区,所有的微结构调控区共同构成材料微结构调控区阵列,其中,所述熔石英材料微结构为熔石英材料处于假想温度状态下的结构状态;
S6:采用兆声波配合氢氟酸溶液刻蚀熔石英样品,利用不同假想温度的熔石英材料的受氢氟酸作用的刻蚀速度的巨大差异,通过氢氟酸刻蚀熔石英材料受二氧化碳激光辐照形成的微结构调控区阵列,呈现出微结构调控区阵列轮廓,形成凹面微透镜阵列,即得到熔石英微透镜阵列。
2.根据权利要求1所述的原位调控材料微结构制备熔石英微透镜阵列的方法,其特征在于:步骤S4中,所述扫描路径为正方形堆积排列或六角形堆积排列。
3.根据权利要求1或2所述的原位调控材料微结构制备熔石英微透镜阵列的方法,其特征在于:步骤S4中,设置扫描相邻行之间的出光延迟时间。
4.根据权利要求1或2所述的原位调控材料微结构制备熔石英微透镜阵列的方法,其特征在于:步骤S5中,需对熔石英样品进行预抛光。
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