[发明专利]一种电子元件去污剂

说明书

技术领域

本发明属于清洗剂技术领域，具体涉及一种电子元件去污剂。

背景技术

电子元件制造过程中的清洗，除使用清洗剂的化学清洗外，还包括电脉冲清洗、光清洗、高压水射流清洗及超声波清洗等清洗方式。在实际应用中，现有的各种清洗方式总是存在各种难以克服的技术缺陷或者法规上的限制，难以满足现代工业发展的要求。

各种清洗方式中，以化学清洗居多，即使用化学清洗剂以某一设定的清洗流程，对电子元件进行清洗。当前的化学清洗使用的清洗剂包括有机溶剂清洗剂、半水基清洗剂和水基清洗剂，有机溶剂清洗剂，大多采用易挥发的诸如丙酮、乙醇、石油醚、环己烷、二氯甲烷、三氯乙烯、氟利昂等，该类清洗剂存在严重的大气污染，现有的水基或半水基电子清洗剂，虽然避免了对大气环境的污染，但就其使用效果而言，在电子元件的清洗中缺乏功能性，即难以保证电子元件的完整。光清洗，虽然清洗的洁净度高，但所需设备昂贵，多为进口，投资过大，而且可能对电子元件的光电特性造成影响。电脉冲清洗，清洗所需设备复杂、价格昂贵，并因液电效应存在，可能对电子元件的电、磁特性造成影响。

因此，急需研制出性能优异，环保安全，不会对电子元件性能造成影响的电子元件去污剂。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足，现提供一种清洗能力强且无污染的电子元件去污剂。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种电子元件去污剂，其创新点在于：其按照重量百分比的构成组份如下：表面活性剂5-8％，辅助溶剂2-4％，防腐、防锈剂0.2-0.4％，螯合剂0.1～1.0％，所述表面活性剂为离子-非离子表面活性剂，所述辅助溶剂为多元醇类溶剂。

进一步的，所述防腐、防锈剂是油酸三乙醇胺和苯并三氮唑。

进一步的，所述螯合剂选自乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、N一羟乙基乙胺三乙酸、氨基三乙酸、柠檬酸和酒石酸中的一种或多种。

本发明的有益效果如下：本发明能对电子材料表面上的金属离子，有机及无机杂质和固体粒子进行有效清洗，清洗力强，清洗后可直接排液对环境无污染。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。

实施例1

一种电子元件去污剂，其按照重量百分比的构成组份如下：表面活性剂5％，辅助溶剂2％，防腐、防锈剂0.2％，螯合剂0.1％，表面活性剂为离子-非离子表面活性剂，辅助溶剂为多元醇类溶剂，防腐、防锈剂是油酸三乙醇胺和苯并三氮唑，螯合剂为乙二胺四乙酸。

实施例2

一种电子元件去污剂，其按照重量百分比的构成组份如下：表面活性剂8％，辅助溶剂4％，防腐、防锈剂0.4％，螯合剂1.0％，表面活性剂为离子-非离子表面活性剂，辅助溶剂为多元醇类溶剂，防腐、防锈剂是油酸三乙醇胺和苯并三氮唑，螯合剂为N一羟乙基乙胺三乙酸。

实施例3

一种电子元件去污剂，其按照重量百分比的构成组份如下：表面活性剂6％，辅助溶剂3％，防腐、防锈剂0.3％，螯合剂0.5％，表面活性剂为离子-非离子表面活性剂，辅助溶剂为多元醇类溶剂，防腐、防锈剂是油酸三乙醇胺和苯并三氮唑，螯合剂为乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、N一羟乙基乙胺三乙酸、氨基三乙酸、柠檬酸和酒石酸的混合液。

本发明能对电子材料表面上的金属离子，有机及无机杂质和固体粒子进行有效清洗，清洗力强，清洗后可直接排液对环境无污染。

上述实施例只是本发明的较佳实施例，并不是对本发明技术方案的限制，只要是不经过创造性劳动即可在上述实施例的基础上实现的技术方案，均应视为落入本发明专利的权利保护范围内。