[发明专利]蓝宝石晶片腐蚀抛光复合加工方法

权利要求书

1.蓝宝石晶片腐蚀抛光复合加工方法，其特征在于：包括：

步骤1，第一次腐蚀步骤，采用混合强酸对双面研磨后的蓝宝石晶片表面进行第一次腐蚀，腐蚀温度为250℃-300℃，通过第一次腐蚀去除研磨所产生的损伤层；该混合强酸由浓度为80％-90％的H3PO4和浓度为90％-100％的H2SO4组成，浓硫酸和浓磷酸的混合质量比例为3:1-1:3；

步骤2，粗抛步骤，采用磨料对晶片表面进行粗抛加工，使腐蚀后的粗糙表面变得平坦，并产生更加均匀的表面损伤层；

步骤3，第二次腐蚀步骤，采用混合强酸对粗抛后的蓝宝石晶片表面进行第二次腐蚀，腐蚀温度为250℃-300℃，第二次腐蚀时间少于第一次腐蚀时间，通过第二次腐蚀去除粗抛所产生的损伤层；该混合强酸由浓度为80％-90％的H3PO4和浓度为90％-100％的H2SO4组成，浓硫酸和浓磷酸的混合质量比例为3:1-1:3；

步骤4，精抛步骤，采用磨料对晶片表面进行精抛加工，使之获得光滑的晶片表面。

2.根据权利要求1所述的蓝宝石晶片腐蚀抛光复合加工方法，其特征在于：该第一次腐蚀步骤、第二次腐蚀步骤的腐蚀时间为5-10mi n。

3.根据权利要求2所述的蓝宝石晶片腐蚀抛光复合加工方法，其特征在于：该第一次腐蚀步骤的腐蚀时间为8-9mi n，该第二次腐蚀步骤的腐蚀时间为5-6mi n。

4.根据权利要求1所述的蓝宝石晶片腐蚀抛光复合加工方法，其特征在于：该第一次腐蚀步骤、第二次腐蚀步骤的腐蚀温度都为275℃-290℃。

5.根据权利要求1所述的蓝宝石晶片腐蚀抛光复合加工方法，其特征在于：该粗抛步骤、精抛步骤所采用的磨料为金刚石、碳化硅、氧化铝、碳化硼中的至少一种，该磨料的磨粒粒径为100-120um；该粗抛步骤所采用的磨料粒径比精抛步骤所采用的磨料粒径粗。

6.根据权利要求5所述的蓝宝石晶片腐蚀抛光复合加工方法，其特征在于：该粗抛步骤采用游离磨料抛光或固接磨盘抛光的方式，该粗抛步骤的抛光时间为10-15mi n；该精抛步骤采用化学机械抛光的方式，该精抛步骤的抛光时间为5-10mi n。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的蓝宝石晶片腐蚀抛光复合加工方法，其特征在于：还包括：

步骤5，清洗步骤，用于清洗蓝宝石晶片。