[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

鳍片；

栅极结构，位于所述鳍片的上方并环绕所述鳍片设置；

虚拟鳍片，位于所述栅极结构两侧的源漏区域的外侧并且与所述鳍片间隔设置；

源漏外延层，位于所述源漏区域上且沿所述栅极结构的方向延伸，所述源漏外延层同时覆盖所述鳍片和所述虚拟鳍片。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括分别位于源极区域两侧的第一虚拟鳍片和第二虚拟鳍片。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括分别位于漏极区域两侧的第三虚拟鳍片和第四虚拟鳍片。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一虚拟鳍片和第三虚拟鳍片位于所述鳍片的同一侧，两者通过将同一虚拟鳍片结构位于鳍片沟道区域的部分去除形成。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二虚拟鳍片和第四虚拟鳍片位于所述鳍片的同一侧，两者通过将同一虚拟鳍片结构位于鳍片沟道区域的部分去除形成。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括半导体衬底，在所述半导体衬底上还形成有覆盖部分所述鳍片的隔离材料层，以形成目标高度的所述鳍片。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离材料层中形成有沿所述鳍片方向延伸的凹槽，所述栅极结构部分位于所述凹槽中，所述虚拟鳍片位于所述凹槽的两侧。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括位于所述源漏外延层上的接触结构。

9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

形成平行设置的鳍片和位于所述鳍片两侧的第一虚拟鳍片结构和第二虚拟鳍片结构；

去除与所述鳍片拟形成沟道的区域相对位置处的第一虚拟鳍片结构部分和第二虚拟鳍片结构部分，以形成第一虚拟鳍片、第二虚拟鳍片、第三虚拟鳍片和第四虚拟鳍片；

沉积隔离材料层并回蚀刻，以在拟形成的所述沟道的区域形成凹槽；

形成栅极结构，所述栅极结构部分覆盖所述凹槽；

在所述栅极结构两侧的所述鳍片和所述虚拟鳍片上形成源漏外延层；

在所述源漏外延层上形成接触结构。

10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1至8之一所述的半导体器件。