[发明专利]半导体元件

说明书

一种半导体元件，包括可挠式基板、阻隔层、绝热层、元件层、介电材料层以及应力吸收层。阻隔层配置于可挠式基板上。绝热层配置于阻隔层上，其中绝热层的导热系数小于20W/mK。元件层配置于绝热层上。介电材料层配置于元件层上，且介电材料层以及绝热层中包括至少一沟渠。应力吸收层配置于介电材料层上，且应力吸收层填入所述至少一沟渠中。

技术领域

本发明是有关于一种半导体元件，且特别是一种耐挠曲性较佳的半导体元件。

背景技术

随着显示技术的进步，显示面板已朝向薄型化及可挠式发展，其中又以软性显示面板(可挠性显示器)逐渐成为显示面板往后发展的主要方向。利用可挠性基板取代传统硬质基板来制作软性显示面板，其可卷曲、方便携带、符合安全性及产品应用广。然而，为了因应未来产品需求及开发，需要制造出更小挠曲曲率半径的面板。就现有技术来说，目前市场上的面板结构仍然存在着耐挠曲性不佳的问题。

一般而言，传统的可挠性面板的应力会集中在薄膜电晶体上。由于应力的分布问题，其耐挠曲性不佳而容易造成面板的膜层破裂，进而使薄膜电晶体及电容特性会飘移及劣化。为了解决应力的分布问题，一般是将重要元件放置于应力中性轴区域。然而，由于面板组成太过复杂，因此，应力中性轴位置有可能在设计与实作上有偏差而导致效果降低。据此，如何解决现有的应力分布、面板耐挠曲性不佳的问题为目前所欲研究的主题。

发明内容

本发明提供一种半导体元件，可解决传统面板应力分布不佳的问题，并且可增加半导体元件的耐挠曲性。

本文所提出的半导体元件，包括可挠式基板、阻隔层、绝热层、元件层、介电材料层以及应力吸收层。阻隔层配置于可挠式基板上。绝热层配置于阻隔层上，其中绝热层的导热系数小于20W/mK。元件层配置于绝热层上。介电材料层配置于元件层上，其中，介电材料层以及绝热层中包括至少一沟渠。应力吸收层配置于介电材料层上，且应力吸收层填入所述至少一沟渠中。

基于上述，由于本发明的半导体元件的介电材料层以及绝热层中包括至少一沟渠，且应力吸收层填入所述至少一沟渠中。因此，本发明的半导体元件可用以解决应力分布不佳的问题，并且可增加半导体元件的耐挠曲性。

附图说明

图1为本发明一实施例半导体元件的剖面示意图；

图2A为本发明另一实施例半导体元件的剖面示意图；

图2B为本发明另一实施例半导体元件的剖面示意图；

图2C为本发明另一实施例半导体元件的剖面示意图；

图3为本发明第一实施例半导体元件的上视示意图；

图4A为图3延剖线A-A’的剖面示意图；

图4B为图3延剖线B-B’的剖面示意图；

图5为图3延剖线B-B’的另一实施例的剖面示意图；

图6为本发明第二实施例半导体元件的上视示意图；

图7为图6延剖线C-C’的剖面示意图；

图8为图6延剖线C-C’的另一实施例的剖面示意图；

图9为本发明第三实施例半导体元件的上视示意图；

图10为图9延剖线D-D’的剖面示意图；

图11为图9延剖线D-D’的另一实施例的剖面示意图；

图12为本发明第四实施例半导体元件的上视示意图；

图13为图12延剖线E-E’的剖面示意图；

图14为图12延剖线E-E’的一实施例的剖面示意图；