[发明专利]抗氧化防漏电铝芯导线有效

专利信息
申请号: 201610555587.1 申请日: 2016-07-14
公开(公告)号: CN106024124B 公开(公告)日: 2017-08-29
发明(设计)人: 王波;王运安 申请(专利权)人: 安徽樵森电气科技股份有限公司
主分类号: H01B7/00 分类号: H01B7/00;H01B7/17;H01B7/28
代理公司: 安徽信拓律师事务所34117 代理人: 张加宽
地址: 237300 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 氧化 漏电 导线
【说明书】:

技术领域

发明涉及铝芯导线制备技术领域,具体涉及一种抗氧化防漏电铝芯导线。

背景技术

铝芯导线与铜芯导线相比具有以下优点:

(1)铝芯导线价格便宜:铜杆是铝杆价格的3.5倍、铜的比重又是铝的3.3倍,所以铝芯导线比铜芯导线便宜很多,适合于低资工程或临时用电。

(2)铝芯导线质轻:铝芯导线的重量是铜芯线的40%,施工运输成本低。

尽管铝导芯线价格便宜,但是铝芯导线易氧化,在空气中与氧反应很快生成一种氧化膜,铜铝连接时会产生电化腐蚀,接头易发热,这限制了铝芯导线的应用。同时铝芯导线与绝缘外套直接接触这种传统结构设计,使得输送电能时在接触截面上产生较大的电损,如果绝缘外套破损,容易发生漏电事故。

发明内容

本发明为解决上述问题,提供一种抗氧化防漏电铝芯导线,使得铝芯导线抗氧化,在与铜线连接时不产生电化腐蚀,具有很好的稳定性。

本发明所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现:

一种抗氧化防漏电铝芯导线,该铝芯导线由铝芯导线本体,溅射在所述铝芯导线本体上的缓冲层,蒸镀在所述缓冲层上的硅薄层构成。

所述铝芯导线本体由以下重量份百分比元素组成:碳0.1%-0.15%,硅0.02%-0.05%,锰0.04%-0.08%,硫0.03%-0.04%,镍0.02%-0.06%,钛0.03%-0.08%,钴0.05%-0.09%,钒0.04%-0.07%,余量为铝;

通过在铝芯导线本体上添加少量碳、硅、锰、硫、镍、钛、钴、钒微量元素并控制各元素含量增加该铝芯导线抗折强度,克服了纯铝芯导线易折断缺陷。

所述缓冲层为氮化铝层;

所述硅薄层由以下重量份百分比元素组成:硅97%-99%,氢0.3%-0.7%,氮1.5%-2.5%,其中各元素重量份百分比之和为100%。

当通过该铝芯导线电流一定时,所述铝芯导线本体、缓冲层、硅薄层厚度比为(10-20)∶0.5∶1。

所述缓冲层、硅薄层厚度与通过该铝芯导线的电流成线性关系,其变化比例为通过该铝芯导线电流每增加10A,缓冲层、硅薄层厚度分别相应增加0.2mm、0.5mm,从而依据该铝芯导线所承载的电流制作合适厚度的缓冲层与硅薄层。

进一步在所述硅薄层外壁涂覆一层绝缘漆,所述绝缘漆由以下重量份的原料配制而成:发泡聚苯乙烯50-60份,聚邻苯二甲酰胺30-40份,聚亚苯基砜树脂15-20份,聚环氧乙烷10-20份,聚芳酯12-18份。

本发明的有益效果为:通过在铝芯导线表面先溅射一层缓冲层再蒸镀一层硅薄层,使得铝芯导线与硅薄层具有很好的兼容性,克服了金属铝与硅的晶格失配等缺陷,硅薄层使得铝芯导线外表面不易氧化,在与铜线导线连接时不会产生电化腐蚀、发热量小,同时突破了传统输电导线的结构设计,在铝芯导线外表面覆盖一层半导体层(硅薄层)再用绝缘层包裹,输电时产生的电能损失更少,即使绝缘外层有破损也不会发生漏电或者引发触电事故。

具体实施方式:

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合实施例,进一步阐述本发明。

实施例1

一种抗氧化防漏电铝芯导线,该铝芯导线由铝芯导线本体,溅射在所述铝芯导线本体上的缓冲层,蒸镀在所述缓冲层上的硅薄层构成。

所述铝芯导线本体由以下重量份百分比元素组成:碳0.1%,硅0.02%,锰0.04%,硫0.03%,镍0.02%,钛0.03%,钴0.05%,钒0.04%,余量为铝;

所述缓冲层为氮化铝层;

所述硅薄层由以下重量份百分比元素组成:硅97%,氢0.3%,氮1.5%。

当通过该铝芯导线电流一定时,所述铝芯导线本体、缓冲层、硅薄层厚度比为(10-20)∶0.5∶1。

所述缓冲层、硅薄层厚度与通过该铝芯导线的电流成线性关系,其变化比例为通过该铝芯导线电流每增加10A,缓冲层、硅薄层厚度分别相应增加0.2mm、0.5mm,从而依据该铝芯导线所承载的电流制作合适厚度的缓冲层与硅薄层。

进一步在所述硅薄层外壁涂覆一层绝缘漆,所述绝缘漆由以下重量份的原料配制而成:发泡聚苯乙烯50份,聚邻苯二甲酰胺30份,聚亚苯基砜树脂15份,聚环氧乙烷10份,聚芳酯12份。

实施例2

一种抗氧化防漏电铝芯导线,该铝芯导线由铝芯导线本体,溅射在所述铝芯导线本体上的缓冲层,蒸镀在所述缓冲层上的硅薄层构成。

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