[发明专利]一种镝钬离子注入的镀锌钕铁硼磁体及其制备方法在审
| 申请号： | 201610555193.6 | 申请日： | 2016-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN105931787A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 沈军;唐睿 | 申请（专利权）人： | 安徽万磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 231500 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 镀锌 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽万磁电子有限公司，未经安徽万磁电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610555193.6/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
