[发明专利]发光二极管座体结构在审

专利信息
申请号: 201610551419.5 申请日: 2016-07-14
公开(公告)号: CN107623066A 公开(公告)日: 2018-01-23
发明(设计)人: 李廷玺 申请(专利权)人: 一诠精密电子工业(中国)有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 汤保平
地址: 215343 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 结构
【说明书】:

技术领域

一种发光二极管座体结构,尤其是指一种提高反射杯结合力的发光二极管座体结构。

背景技术

一般绝缘基板(例如:陶瓷基板…等)上,为了形成反射杯,都采用陶瓷共烧结或是点胶方式,在绝缘基板上形成为反射杯。然而,陶瓷共烧结的方式,成本较高,且工艺较复杂。而点胶方式,无法提供反射杯有效的反射面。

另一种反射杯成形方式,是将绝缘基板结合射出方式,在绝缘基板上射出成形有反射杯,但反射杯与绝缘基板表面的结合性差,容易造成反射杯的剥离,且水气易从绝缘基板与反射杯的接合面渗漏至反射杯内,降低了发光二极管的寿命。

为解决此一问题,故在绝缘基板上预先进行钻孔,但绝缘基板需通过激光钻孔方式,在绝缘基板上形成穿孔,进而才能使反射杯填入穿孔中,达到反射杯固定于绝缘基板的效果,以防止反射杯的剥离,然而在绝缘基板上进行激光钻孔,效率慢且成本高。

综上所述,可知先前技术中长期以来一直存在绝缘基板上反射杯固定工艺过于复杂或是工艺效率不足的问题,因此有必要提出改进的技术手段,来解决此一问题。

发明内容

有鉴于先前技术存在绝缘基板上反射杯固定工艺过于复杂或是工艺效率不足的问题,本发明遂揭露一种发光二极管座体结构,其中:

本发明所揭露第一实施态样的发光二极管座体结构,其包含:绝缘基板、电性连接部、固定部以及反射杯。

其中,绝缘基板具有第一表面以及第二表面,且绝缘基板上具有多个贯穿第一表面以及第二表面的贯穿孔;电性连接部电性间隔设于第一表面上,并分别通过贯穿孔延伸至第二表面;固定部形成于绝缘基板的第一表面上,环设于电性连接部的外侧,并与电性连接部相互间隔,且固定部的顶部的截面积大于固定部的底部的截面积;反射杯形成于第一表面上,反射杯具有中空区域,且固定部埋入于反射杯内,电性连接部部分暴露于中空区域。

本发明所揭露第二实施态样的发光二极管座体结构,其包含:二个金属基板、二个固定部、第一电性连接部、第二电性连接部以及反射杯。

其中,二个金属基板彼此相互间隔;固定部分别形成于金属基板上,且固定部的顶部的截面积大于固定部的底部的截面积;第一电性连接部形成于金属基板其中之一的表面,并与固定部其中之一相互间隔;第二电性连接部形成于另一金属基板的表面,并与另一个固定部相互间隔;反射杯具有中空区域,反射杯包覆金属基板、固定部、第一电性连接部以及第二电性连接部以连接并绝缘金属基板,且第一电性连接部以及第二电性连接部部分暴露于中空区域。

本发明所揭露第三实施态样的发光二极管座体结构,其包含:二个金属基板、第一电性连接部、第二电性连接部、二个固定部以及反射杯。

二个金属基板彼此相互间隔;第一电性连接部形成于金属基板其中之一的表面;第二电性连接部形成于另一金属基板的表面;二个固定部分别形成于第一电性连接部以及第二电性连接部上,且固定部的顶部的截面积大于固定部的底部的截面积;反射杯具有中空区域,反射杯包覆第一电性连接部、第二电性连接部以及固定部以连接并绝缘金属基板,且第一电性连接部以及第二电性连接部部分暴露于中空区域。

本发明所揭露的结构如上,与先前技术之间的差异在于在绝缘基板上、金属基板上或是第一电性连接部以及第二电性连接部上分别形成固定部,固定部的顶部的截面积大于固定部的底部的截面积,在反射杯形成时,固定部埋入于反射杯内以提供反射杯的固定。

通过上述的技术手段,本发明可以达成通过固定部提高反射杯与基板间的结合力的技术功效。

附图说明

以下将配合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式,由此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施,其中:

图1绘示为本发明第一实施态样发光二极管座体结构的剖面示意图。

图2绘示为本发明第一实施态样发光二极管座体结构的上视示意图。

图3A以及图3B绘示为本发明第一实施态样发光二极管座体结构的固定部剖面放大示意图。

图3C绘示为本发明第一实施态样发光二极管座体结构的第一电性连接部剖面放大示意图。

图3D绘示为本发明第一实施态样发光二极管座体结构的第二电性连接部剖面放大示意图。

图4绘示为本发明第二实施态样发光二极管座体结构的剖面示意图。

图5A以及图5B绘示为本发明第二实施态样发光二极管座体结构的固定部剖面放大示意图。

图5C绘示为本发明第二实施态样发光二极管座体结构的第一电性连接部剖面放大示意图。

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