[发明专利]一种用于环保领域的烟气脱硫除尘装置有效
申请号: | 201610546079.7 | 申请日: | 2016-07-08 |
公开(公告)号: | CN106178776B | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 宁芳青;董文俊 | 申请(专利权)人: | 马鞍山市江海节能科技有限公司 |
主分类号: | B01D50/00 | 分类号: | B01D50/00;B01D53/00;H01L31/0236;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京华识知识产权代理有限公司11530 | 代理人: | 鲁华 |
地址: | 243000 安徽省马鞍*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 环保 领域 烟气 脱硫 除尘 装置 | ||
技术领域
本申请涉及环保领域,尤其涉及一种用于环保领域的烟气脱硫除尘装置。
背景技术
随着经济的快速发展和科技的进步,目前我国对于环保的保护越来越重视。同时,随着空气污染的日益严重,对于空气质量的控制过程中,对于燃煤企业的烟气处理尤为重要。
目前锅炉等排出的烟气需要经过脱硫除尘后方可排放到大气中,一般的脱硫除尘装置由于需要采用外接电源,而当外接电源发生断电等情况时,会引起装置故障。
发明内容
为克服相关技术中存在的问题,本申请提供一种用于环保领域的烟气脱硫除尘装置。
本发明提供了一种用于环保领域的烟气脱硫除尘装置,其特征在于:包括通过支架支撑的脱硫除尘装置本体,所述脱硫除尘装置本体的顶部设置有驱动电机,所述驱动电机上方设置有太阳能光伏板,所述太阳能光伏板通过电线连接至位于驱动电机内部的太阳能黑硅电池组件,所述驱动电机连接着搅拌轴,所述搅拌轴从脱硫除尘装置本体的顶部沿脱硫除尘装置本体的高度方向垂直延伸至积尘板上方,所述搅拌轴上设置有旋转风扇,所述积尘板位于脱硫除尘装置本体的下端,且所述积尘板上固设有除尘门,所述除尘门设置于脱硫除尘装置本体的外壳壁上,所述脱硫除尘装置本体上还包括呈E状的液体输入管和烟气输送管,位于脱硫除尘装置本体内部的液体输入管末端设置有喷淋器,所述脱硫除尘装置本体的外壳壁上还设置有烟气输出口。
优选地,所述旋转风扇的数量为3~5个,沿搅拌轴的长度方向等间距设置。
优选地,所述喷淋器的数量为2~4个,等间距的设置于液体输入管的末端。
优选地,所述旋转风扇的数量为5个,所述喷淋器的数量为4个。
优选地,所述旋转风扇的数量为2个,所述喷淋器的数量为2个。
本申请的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:
1.本发明的实施例提供了一种用于环保领域的烟气脱硫除尘装置,由于该装置采用了太阳能电池组件作为其运转的电源,而该太阳能电池组件由黑硅太阳能电池构成,在制备黑硅太阳能电池过程中,采用Cu/Ni合金膜辅助化学法刻蚀制备黑硅结构,采用该方法在金字塔结构的硅片表面腐蚀出合适深度的纳米结构,有效降低可见光的反射率到1%以下,同时能够有效降低载流子的复合率,同时采用SiO2/Al2O3/SiNX薄膜作为叠层钝化膜,有效降低了太阳光的反射率,提高了载流子的寿命。进而采用该黑硅结构制成的太阳能电池的吸光效率提高,使该装置的使用寿命提高。
2.本发明的实施例提供了一种用于环保领域的烟气脱硫除尘装置,在其使用的电源中采用黑硅太阳能电池,由于采用SiO2/Al2O3/SiNX薄膜作为叠层钝化膜,该结构薄膜有效提高了载流子的寿命,同时结合电极缓冲层的使用,有效提升了太阳能电池的效率,测试得到最高太阳能电池转换效率达到20.78%。进而,使LED路灯的电源使用寿命延长,节省了更换电池所需的人力和物力成本;此外,在制备太阳能电池的过程中,由于将Fe3O4磁性纳米粒子掺杂到P3HT:PCBM光活性层中,增加自由载流子浓度,提高电池的短路电流,提高黑硅太阳能电池的能量转换效率;结构简单,生产工艺简单,成本低,因此,在提升电池转换效率的同时降低了制造成本,具有大规模运用于生成实际中的潜力。进而使装置的制作成本和使用效率都得到大幅度的提高。
3.本发明的实施例提供了一种用于环保领域的烟气脱硫除尘装置,由于采用将太阳能光伏板和太阳能黑硅电池组件相结合的方式,作为驱动电机的电源,当发生断电等情况时,装置也能够正常运转,减小了装置发生故障的几率,节省了维修成本和人工查看时间,提高了企业的运转效率。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本申请。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本发明的实施例,并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明的结构示意图。
图2是根据一示例性实施例示出的本发明采用的黑硅太阳能电池模块的制备工艺流程框图。
图3为本发明采用的硅片表面金字塔结构示意图。
图4为本发明采用的黑硅结构表面薄膜示意图。
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