[发明专利]红外线影像感测器组件及其制造方法

权利要求书

1.一种红外线影像感测器组件，其特征在于，包含：

一半导体基板；

一主动像素区，配置于该半导体基板上，用于接收一红外线，其中该主动像素区由一III-V族化合物材料组成；以及

一晶体管，耦接至该主动像素区，其中该晶体管包含：

一经掺杂的III-V族化合物区；

一栅极金属堆叠，配置在该经掺杂的III-V族化合物区上；以及

二欧姆金属接触点，配置于该栅极金属堆叠的相对侧，其中所述欧姆金属接触点的一者耦接至该主动像素区。

2.根据权利要求1所述的红外线影像感测器组件，其特征在于，其中该主动像素区包含一III-V族化合物层堆叠，配置在该半导体基板上。

3.根据权利要求2所述的红外线影像感测器组件，其特征在于，该III-V族化合物层堆叠包含多个III-V族化合物层，所述多个III-V族化合物层分别具有一能隙，且所述多个III-V族化合物层的该能隙自靠近该半导体基板的一侧往远离该半导体基板的一侧递增。

4.根据权利要求2所述的红外线影像感测器组件，其特征在于，该III-V族化合物层堆叠包含多个III-V族化合物层，所述多个III-V族化合物层分别具有一能隙，且所述多个III-V族化合物层的该能隙自靠近该半导体基板的一侧往远离该半导体基板的一侧递减。

5.根据权利要求2所述的红外线影像感测器组件，其特征在于，该主动像素区包含配置在该半导体基板上的一III-V族化合物层堆叠，该III-V族化合物层堆叠包含多个第一III-V族化合物层，以及多个第二III-V族化合物层，所述第二III-V族化合物层的能隙较所述第一III-V族化合物层的能隙宽，其中所述多个第一III-V族化合物层与所述多个第二III-V族化合物层为交替排列。

6.根据权利要求2所述的红外线影像感测器组件，其特征在于，该主动像素区包含配置在该半导体基板上的一III-V族化合物层堆叠，该III-V族化合物层堆叠的中间部分的能隙较该III-V族化合物层堆叠的上下两侧的能隙窄。

7.根据权利要求2所述的红外线影像感测器组件，其特征在于，该主动像素区包含配置在该半导体基板上的一III-V族化合物层堆叠，该III-V族化合物层堆叠包含：

一第一III-V族化合物层；以及

一第二III-V族化合物层，配置于该第一III-V族化合物层与该半导体基板之间，其中该第二III-V族化合物层的一能隙为一梯度分布。

8.一种红外线影像感测器组件，其特征在于，包含：

一半导体基板；

一第一III-V族化合物层，配置于该半导体基板上；

一第二III-V族化合物层，配置于该第一III-V族化合物层上并直接接触该第一III-V族化合物层，其中该第一III-V族化合物层与该第二III-V族化合物层具有不同能隙；

一晶体管，配置于该第二III-V族化合物层上；以及

至少一图案，配置于该第二III-V族化合物层的上方，其中该第二III-V族化合物层自该图案曝露的一部分形成一主动像素区，用于接收一红外线，且该晶体管耦接至该主动像素区。