[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成衬底，所述衬底上具有分立的鳍部；

去除鳍部之间部分厚度的衬底，在所述鳍部下方形成前驱层；

在相邻所述前驱层间填充过氧化层；

使所述过氧化层氧化鳍部之间的衬底以及所述前驱层，形成位于相邻鳍部之间的隔离结构且相邻所述隔离结构在所述鳍部下方相接触；

填充所述过氧化层的步骤包括：在相邻所述前驱层以及相邻所述鳍部之间形成过氧化材料层，所述过氧化材料层的顶部表面高于所述鳍部的顶部表面；回刻所述过氧化材料层，去除部分厚度对所述过氧化材料层，露出所述鳍部的侧壁，形成所述过氧化层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成凹槽的步骤包括：通过湿法刻蚀的方式形成所述凹槽。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述过氧化材料层的步骤包括：通过化学气相沉积的方式形成所述过氧化层材料层。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成所述过氧化材料层的步骤中，工艺气体包括硅烷和过氧化氢气体。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，通过化学气相沉积的方式形成所述过氧化材料层的步骤中，工艺温度在-5℃到100℃范围内，工艺气体压强在10Pa到300Pa范围内。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述过氧化层的材料为含硅化合物，所述含硅化合物含有游离的氧离子或氢氧离子。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，使所述过氧化层氧化鳍部之间的衬底以及所述前驱层的步骤包括：通过退火处理，使所述过氧化层氧化鳍部之间的衬底以及所述前驱层。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述退火处理的步骤中，所述退火温度在20℃到600℃范围内。

9.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述退火处理的步骤包括：在氧化气体的气氛中进行所述退火处理。

10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，在氧化气体的气氛中进行所述退火处理的步骤中，所述氧化气体包括氧气、臭氧或氧气和水蒸气的混合气体。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述衬底的步骤中，所述前驱层的厚度在到范围内；

形成隔离结构的步骤中，所述隔离结构的厚度在到范围内。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述鳍部之后，形成所述前驱层之前，所述形成方法还包括：形成覆盖所述鳍部的保护层；

形成所述隔离结构之后，所述形成方法还包括：去除保护层。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述隔离结构之后，所述形成方法还包括：

在鳍部之间的隔离结构上形成隔离层；

在所述鳍部上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部顶部和侧壁的部分表面。