[发明专利]晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

形成衬底，所述衬底上具有鳍部；

形成位于所述鳍部上的栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部，覆盖所述鳍部顶部和侧壁的部分表面，所述栅极结构包括栅极层以及位于所述栅极层侧壁的隔离层；

在所述栅极结构两侧的鳍部内形成开口；

向所述开口的底部和侧壁注入防穿通离子，在所述栅极结构的隔离层下方的鳍部内形成防穿通区域，所述防穿通离子未经过所述栅极结构下方的晶体管沟道；

向所述开口内填充半导体材料，形成半导体层；

对所述半导体层进行掺杂，形成源漏掺杂区。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，向所述开口的底部和侧壁注入防穿通离子的步骤中，所述防穿通注入的倾斜角度在10°到20°范围内，所述倾斜角度为注入方向与所述衬底表面法线之间的夹角。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，向所述开口的底部和侧壁注入防穿通离子的步骤包括：在所述鳍部的底部形成所述防穿通区域。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，向所述开口的底部和侧壁注入防穿通离子的步骤中，所述注入的能量在5KeV到10KeV范围内。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所形成晶体管为P型晶体管时，向所述开口的底部和侧壁注入防穿通离子的步骤包括：向所述开口的底部和侧壁注入N型防穿通离子，注入剂量5E14 atom/cm²到1E15atom/cm²范围内。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述N型防穿通离子包括：砷离子、磷离子或碲离子的一种或多种。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所形成晶体管为N型晶体管时，向所述开口的底部和侧壁注入防穿通离子的步骤包括：向所述开口的底部和侧壁注入P型防穿通离子，注入剂量在5E13 atom/cm²到1E14 atom/cm²范围内。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述P型防穿通离子包括：硼离子、镓离子或铟离子的一种或多种。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成防穿通区域的步骤包括：对所述开口的底部和侧壁进行防穿通离子注入；

进行第一退火处理，形成防穿通区域。

10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，进行第一退火处理的步骤包括：通过尖峰退火的方式进行第一退火处理。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述晶体管为P型晶体管；

形成开口的步骤包括：在所述栅极结构两侧的鳍部内形成西格玛形的开口；所述晶体管为N型晶体管；形成开口的步骤包括：在所述栅极结构两侧的鳍部内形成U形的开口。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述晶体管为P型晶体管；

向所述开口内填充半导体材料的步骤包括：向所述开口内填充包括锗硅的半导体材料。

13.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述晶体管为N型晶体管；

向所述开口内填充半导体材料的步骤包括：向所述开口内填充包括磷硅的半导体材料。

14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述半导体层的步骤包括：通过外延生长的方式填充所述半导体材料，形成半导体层。

15.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成源漏掺杂区的步骤包括：对所述半导体层进行掺杂离子注入；

进行第二退火处理，形成源漏掺杂区。