[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一晶体管区和第二晶体管区，所述基底的第一晶体管区和第二晶体管区包括衬底和位于衬底上的鳍部；

在所述第一晶体管区衬底上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层的表面低于所述鳍部顶部表面；

对所述第一牺牲层进行第一离子注入；

进行第一离子注入之后，去除所述第一牺牲层；

去除所述第一牺牲层之后，进行退火处理。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层为抗反射涂层、氧化硅层或氮化硅层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一晶体管区第一牺牲层进行离子注入之前，还包括：在所述第二晶体管区形成第二牺牲层，所述第二牺牲层覆盖所述第二晶体管区鳍部顶部和侧壁。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层与第二牺牲层的材料相同。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一牺牲层和第二牺牲层的步骤包括：

在所述第一晶体管区和第二晶体管区衬底上形成初始牺牲层，所述初始牺牲层表面高于所述鳍部顶部表面；

去除第一晶体管区部分厚度的初始牺牲层，在第一晶体管区形成第一牺牲层，在第二晶体管区形成第二牺牲层。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除第一晶体管区部分厚度的初始牺牲层的工艺包括：干法刻蚀或湿法刻蚀。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成初始牺牲层的工艺包括：旋涂工艺或流体化学气相沉积工艺。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一牺牲层的工艺包括：灰化工艺、干法刻蚀或湿法刻蚀。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一牺牲层之后，还包括：

在第一晶体管区和第二晶体管区衬底上形成隔离结构，所述隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面，且所述隔离结构的厚度大于或等于所述第一牺牲层的厚度。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲的厚度与所述隔离结构的厚度相等。

11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二晶体管区用于形成PMOS晶体管；

还包括：对所述第二晶体管区隔离结构进行第二离子注入。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一晶体管区用于形成NMOS晶体管。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入的注入离子包括：硼离子或氟化硼离子。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入的工艺参数包括：注入剂量为5.0E12atoms/cm²～1.0E15atoms/cm²；注入能量为5KeV～50KeV。

15.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在去除第一牺牲层之后，形成所述隔离结构之前，还包括：

在所述第二晶体管区衬底上形成第三牺牲层，所述第三牺牲层表面低于所述鳍部顶部表面；对所述第三牺牲层进行第二离子注入；

进行第二离子注入之后，去除所述第三牺牲层；去除所述第三牺牲层之后，进行退火处理。