[发明专利]半导体工艺控制方法、装置及半导体工艺设备在审
申请号: | 201610529502.2 | 申请日: | 2016-07-06 |
公开(公告)号: | CN107591343A | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
发明(设计)人: | 刘悦 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442 | 代理人: | 马佑平,杨国权 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 工艺 控制 方法 装置 工艺设备 | ||
1.一种半导体工艺控制方法,其特征在于,包括
检测当前腔室状态是否为当前工艺的激活状态,如否,则控制当前腔室状态转变为所述激活状态,其中,所述激活状态包括:腔室内气体环境及腔室温度满足当前工艺要求;
在当前腔室状态为所述激活状态时,检测当前工艺的配方文件是否有效,如是,则获取所述配方文件中的工艺参数;
检测所述工艺参数是否合法,如是,则控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程包括:
获取所述工艺流程中开始执行的当前工艺的工艺步骤;
向所述设备下发所述工艺步骤中设定的工艺参数;
检测是否达到设定的完成所述工艺步骤的时间,如是,则:
检测所述当前工艺的所有工艺步骤是否执行完毕,如否,则开始执行所述当前工艺的下一工艺步骤。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程之前,检测所述设备是否正常,如是,则控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程;如否,则进行报警提示并停止执行所述工艺流程。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程的过程中,检测是否接收到控制工艺流程的信号,若是,则执行对应所述信号的操作。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述控制工艺流程的信号包括暂停当前工艺步骤的信号、恢复当前工艺步骤的信号、跳转至下一工艺步骤的信号、终止工艺流程的信号、重新运行当前工艺步骤的信号中的至少一种。
6.一种半导体工艺控制装置,其特征在于,包括:
腔室状态检测模块,用于检测当前腔室状态是否为当前工艺的激活状态;
腔室状态转变模块,用于在所述当前腔室状态未处于当前工艺的激活状态时,控制当前腔室状态转变为所述激活状态;
配方文件检测模块,用于当前腔室状态为所述激活状态的情况下,检测当前工艺的配方文件是否有效;
工艺参数获取模块,用于在所述配方文件有效的情况下,获取配方文件中的工艺参数;
工艺参数检测模块,用于检测所述工艺参数是否合法;以及,
工艺流程执行模块,用于所述工艺参数合法时,控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述工艺流程执行模块包括:
工艺步骤获取单元,用于获取所述工艺流程中开始执行的当前工艺的工艺步骤;
工艺参数下发单元,用于向所述设备下发所述工艺步骤中设定的工艺参数;
工艺时间检测单元,用于检测是否达到设定的完成所述工艺步骤的时间;
工艺步骤检测单元,用于在达到设定的完成所述工艺步骤的时间的情况下,检测所述当前工艺的所有工艺步骤是否执行完毕;以及,
工艺步骤切换单元,用于所述当前工艺的所有工艺步骤未执行完毕时,开始执行所述当前工艺的下一工艺步骤。
8.根据权利要求6或7所述的装置,其特征在于,所述工艺流程执行模块还包括:
设备检测单元,用于在控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程之前,检测所述设备是否正常,如是,则控制对应当前工艺的设备执行所述配方文件中的工艺流程;如否,则进行报警提示并停止执行所述工艺流程。
9.根据权利要求6或7所述的装置,其特征在于,所述工艺流程执行模块还包括:
信号检测单元,用于检测是否接收到控制工艺流程的信号;以及,
信号执行单元,用于接收到控制工艺流程的信号时,执行对应信号的操作。
10.一种半导体工艺设备,包括加热装置、进气装置和排气装置,其特征在于,所述设备还包括权利要求6至9中任一项所述的装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造