[发明专利]一种N型双面电池的制造方法

权利要求书

1.一种N型双面电池的制造方法，其特征在于，包括：

对硅片进行清洗和表面制绒；

在所述硅片的正面和背面进行硼扩散，形成正面硼扩层和背面硼扩层，所述正面硼扩层的表面为硼硅玻璃；

在所述硅片的正面制备SiN_x掩膜；

刻蚀掉全部的所述SiN_x掩膜和所述背面硼扩层；

利用所述硼硅玻璃对所述硅片正面形成保护，在所述硅片的背面进行磷扩散，形成背面磷扩层，所述背面磷扩层的表面为磷硅玻璃；

刻蚀掉所述硼硅玻璃和所述磷硅玻璃；

在所述硅片的正面和背面制备SiN_x钝化膜，并分别制备前电极和背电极。

2.根据权利要求1所述的N型双面电池的制造方法，其特征在于，

所述刻蚀掉所述SiN_x掩膜和所述背面硼扩层包括：

利用刻蚀液的浓度、刻蚀速率以及所述SiN_x掩膜的厚度，计算出刻蚀时间，然后根据所述刻蚀时间，刻蚀掉所述SiN_x掩膜和所述背面硼扩层。

3.根据权利要求1所述的N型双面电池的制造方法，其特征在于，

所述刻蚀掉所述SiN_x掩膜和所述背面硼扩层为：

利用浓度为5％至10％的HF溶液对折射率为2.1且厚度为30nm至40nm的SiN_x掩膜刻蚀5分钟至10分钟。

4.根据权利要求1所述的N型双面电池的制造方法，其特征在于，

所述刻蚀掉所述硼硅玻璃和所述磷硅玻璃为：

利用浓度为5％至10％的HF溶液对所述硼硅玻璃和所述磷硅玻璃刻蚀10分钟至20分钟。

5.根据权利要求1-4任一项所述的N型双面电池的制造方法，其特征在于，

所述在所述硅片的正面和背面制备SiN_x钝化膜包括：

在所述硅片的正面制备折射率范围为2.04至2.11且厚度范围为60nm至80nm的SiN_x钝化膜，在所述硅片的背面制备折射率范围为2.04至2.11且厚度范围为80nm至100nm的SiN_x钝化膜。

6.根据权利要求5所述的N型双面电池的制造方法，其特征在于，

所述对硅片进行清洗和表面制绒包括：

对硅片进行清洗，并采用湿法化学腐蚀的方式在所述硅片的表面形成45°的正金字塔绒面。

7.根据权利要求6所述的N型双面电池的制造方法，其特征在于，

所述正面硼扩层的表面的硼硅玻璃的厚度为100nm至200nm。

8.根据权利要求7所述的N型双面电池的制造方法，其特征在于，

所述在所述硅片的正面制备SiN_x掩膜为：

在所述硅片的正面利用等离子增强化学气相沉积方式制备厚度范围为10nm至80nm的SiN_x掩膜。

9.根据权利要求8所述的N型双面电池的制造方法，其特征在于，

所述制备前电极和背电极包括：

采用丝网印刷、蒸发或溅射方式制备所述前电极和所述背电极。

10.根据权利要求8所述的N型双面电池的制造方法，其特征在于，

所述制备前电极和背电极包括：

采用丝网印刷Ag浆料的方式制备所述前电极，采用丝网印刷Al浆料的方式制备所述背电极，并进行烧结。