[发明专利]电池充电保护装置

说明书

技术领域

本发明的电池充电保护装置属于电池充电保护电路的技术领域，其特征在于保护电池在设定电压下进行充电， 避免电池过高电压所造成的损害。

背景技术

目前电池充电保护集成电路如德仪公司(Texas Instruments Company, TI)的bq29410系列及bq77910，Atmel公司(Atmel Company) 的ATA6870，凌芮科技公司(Linear Technology Company) 的LTC3557/LTC3557-1，LAPIS 半导体公司(LAPIS Semiconductor Company) 的ML610Q486P，Intersil公司的ISL94208，Microchip公司的AN231，MAXIM公司(Maxim Integrated Products Company) 的DS2726及Vishay Siliconix公司的Si9730等公司的集成电路产品均无关于电池在充电中，可以用单一半导体与电池串联连接可以保护当电池充电中发生过高电压时，将半导体与电池电路分开，并且将充电装置的电流利用分流电阻将其电流旁路，而避免电池的损壤，而具有电池保护及电流旁路功能的叙述。因为上述集成电路并没有本发明所叙述的电路特征，而成为上述集成电路在功能上的缺点。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种电池充电保护装置，应用于定电压，定电流的电池充电装置，可以达到充电中的电池因为过电压而执行分流的功能，以使电池达到充电所设定的电压值。

本发明的第二目的提供一种电池充电保护装置，应用于定电压，定电流的电池充电装置，可以达到充电中的电池因为过电压时而执行半导体与电池开路，以达到电池过电压的保护。

为达到上述目的或其他目的， 本发明提供一种电池充电保护装置，应用可调整精密并接调整器电路，其包括可调整精密并接调整器、第一电阻及第二电阻，其特征为借由可调整精密并接调整器的精密参考电压值而达到精确的过高电压控制值。

为达到上述目的或其他目的， 本发明提供一种电池充电保护装置，应用第一半导体电路，其包括第一半导体、基极(Base)电阻及射极(Emitter) 电阻，其特征为第一半导体射极电阻为提供第一半导体射极电压，当第一半导体导通时，亦具有可调整精密并接调整器的限电流作用。

为达到上述目的或其他目的， 本发明提供一种电池充电保护装置，应用第二半导体电路，其包括第二半导体、分流电阻(Shunt Resistor)及第一闸极电阻，其特征为第二半导体的闸极(Gate)连接第一闸极电阻的一端及第一半导体的受极(Collector)，第一闸极电阻的另一端连接负电端，第二半导体的漏极(Drain)连接分流电阻，第二半导体的源极连接负电端。

为达到上述目的或其他目的， 本发明提供一种电池充电保护装置，应用第三半导体电路，其包括第三半导体及第二闸极电阻，其特征为第三半导体的闸极连接第二闸极电阻的一端及第二半导体的漏极，第二闸极电阻的另一端连接负电端，第三半导体的漏极连接电池的负电端，第三半导体的源极(Source)连接电路的负电端。

为达到上述目的或其他目的， 本发明提供一种电池充电保护装置，应用等功能电路(Equivalent Function Circuit)，替代第三半导体电路，其等功能电路为第四半导体电路，第四半导体电路包括有第三闸极电阻、第四半导体、第四闸极电阻及第五半导体，第四半导体为N通道金属氧化半导体场效晶体管(N Channel Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)，第五半导体为P通道金属化半导体场效晶体管(P Channel Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) ，以提供更多的应用选择。

附图说明

图1为本发明的第一实施例的电池充电保护装置的电路图。

图2 为本发明的第二实施例的电池充电保护装置的电路图。

图3 为本发明的第三实施例的电池充电保护装置的电路图。

图中：

11 第一电阻；

12 第二电阻；

13 可调整精密并接调整器；

21 第一半导体的基极电阻；

22 第一半导体的射极电阻；

23 第一半导体；

31 第一闸极电阻；

32 第二半导体；

33 分流电阻；