[发明专利]一种LED芯片的切割及劈裂方法

说明书

本发明提供了一种LED芯片的切割及劈裂方法，具体包括：S1在LED芯片上表面切割出一预设厚度的槽；S2沿LED芯片下表面进行劈裂，完成对所述LED芯片的完全劈裂。采用本发明提供的切割及劈裂方法之后，大大简化切割工艺流程，有效解决了现有切割方法引起的金属卷片翘起、残留金属残渣等问题。

技术领域

本发明属于半导体领域，具体涉及一种LED芯片的切割及劈裂方法。

背景技术

目前，LED芯片常规的切割及劈裂方式包括激光切割、刀片切割等方式。其中，在激光切割方式中，一般先采用激光在LED芯片正反表面划线之后再进行机械裂片；在刀片切割方式中，一般先采用刀片在LED芯片正反表面切割一定深度之后再进行劈裂。

采用上述方法对LED芯片进行切割和裂片，虽然产速高、成本低，但是在某些背镀金属的LED芯片中，由于金属的韧性，如果仍然采用上述常规方式对其进行切割和劈裂，会带来一系列的问题，如金属卷片翘起、残留金属残渣等。但是这种背镀金属的LED芯片，如果不进行背面切割，又很难进行劈裂。因而如何有效地对这种LED芯片进行切割和劈裂就成了需要克服的难点。

发明内容

基于上述问题，本发明的目的是提供一种LED芯片的切割及劈裂方法，有效解决了现有劈裂方法引起的金属卷片翘起、残留金属残渣等问题。

为了实现上述发明目的，本发明采用以下技术方案：

一种LED芯片的切割及劈裂方法，所述LED芯片的下表面包括背面金属层，所述切割及劈裂方法包括：

S1在LED芯片上表面切割出预设厚度的槽；

S2沿LED芯片下表面进行劈裂，完成对所述LED芯片的完全劈裂。

进一步优选地，在步骤S1中具体包括：

于所述LED芯片上表面沿管芯中间的切割道切割出预设厚度的槽。

进一步优选地，所述预设厚度大于所述LED芯片厚度的1/8。

进一步优选地，在步骤S2中，具体包括：

S21沿LED芯片下表面进行第一次劈裂，将所述背面金属层外的LED芯片劈开；

S22沿LED芯片下表面进行第二次劈裂，将所述背面金属层劈裂，完成对所述LED芯片的完全劈裂。

进一步优选地，在步骤S21中具体包括：

S211将所述LED芯片放置在芯片劈裂机台上；

S212沿LED芯片下表面中与步骤S1中切割出来的槽的相对位置处对LED芯片进行第一次劈裂。

进一步优选地，在步骤S22中具体包括：

LED芯片下表面中步骤S212的劈裂位置对所述LED芯片进行第二次劈裂，将所述背面金属层劈裂，完成对所述LED芯片的完全劈裂。

本发明提供的LED芯片的切割及劈裂方法，其有益效果为：

本发明提供的切割及劈裂方法针对类似背镀金属层的LED芯片，对于这类型的LED芯片，不再需要从LED芯片的背面实现对其的切割，采用本发明提供的切割及劈裂方法之后，大大简化切割工艺流程，有效解决了现有切割方法引起的金属卷片翘起、残留金属残渣等问题。同时，有效避免了背面金属层切割之后对后续的封装、共晶等工艺产生的二次影响，大大提升了划裂良率和产品良率。

附图说明

图1为本发明中在LED芯片上表面开设预设厚度的槽的结构示意图；

图2为本发明中第一劈裂LED芯片结构示意图；

图3为本发明中第二劈裂LED芯片结构示意图。