[发明专利]一种AMOLED显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201610473804.2 | 申请日: | 2016-06-24 |
公开(公告)号: | CN105914229B | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 盖翠丽;林奕呈 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 amoled 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种AMOLED显示基板的制作方法,包括:
形成多个像素单元,形成每一像素单元的步骤包括:
形成第一存储电容、薄膜晶体管和发光二极管,其特征在于,通过一次构图工艺形成所述薄膜晶体管的有源层和所述第一存储电容的第一电极,所述第一电极由导体材料制得;
通过一次构图工艺形成所述有源层和第一电极的步骤包括:
依次形成半导体膜层和导电膜层,对所述半导体膜层和导电膜层进行一次构图工艺,形成所述有源层和第一电极,其中,所述有源层由所述半导体膜层形成,所述第一电极由所述导电膜层形成;
所述制作方法还包括:
形成覆盖所述有源层和第一电极的刻蚀阻挡层,所述刻蚀阻挡层中包括过孔;
在所述刻蚀阻挡层上形成所述薄膜晶体管的源电极和漏电极,所述源电极和漏电极通过所述过孔与所述有源层电性接触;
所述漏电极在所述显示基板所在平面上的正投影与所述第一电极在所述显示基板所在平面上的正投影存在交叠区域,所述第一存储电容的第二电极为所述漏电极;
所述像素单元还包括:
第二存储电容,所述第二存储电容的一个电极为所述漏电极。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,对所述半导体膜层和导电膜层进行一次构图工艺,形成所述有源层和第一电极的步骤包括:
在所述导电膜层上涂覆光刻胶;
利用半色调或灰色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光,显影后,形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶不保留区域,所述光刻胶完全保留区域对应所述第一电极所在的区域,所述光刻胶半保留区域对应所述有源层所在的区域,所述光刻胶不保留区域对应其他区域;
去除所述光刻胶不保留区域的导电膜层和半导体膜层;
通过灰化工艺去除所述光刻胶半保留区域的光刻胶;
去除所述光刻胶半保留区域的导电膜层;
剥离剩余的光刻胶,形成所述有源层和第一电极。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:
形成发光二极管的底电极和顶电极,所述底电极与所述漏电极电性连接,所述顶电极与所述第一电极电性连接,所述第二存储电容的另一个电极为所述顶电极。
4.一种AMOLED显示基板,其特征在于,采用权利要求1-3任一项所述的制作方法制得。
5.根据权利要求4所述的AMOLED显示基板,其特征在于,所述第一电极的下方具有与所述第一电极的图形一致的半导体层的图形,所述半导体层与所述有源层由同一膜层制得。
6.根据权利要求5所述的AMOLED显示基板,其特征在于,所述第一电极在所述显示基板所在平面上的正投影与所述薄膜晶体管的漏电极在所述显示基板所在平面上的正投影存在交叠区域,且所述第一电极和所述漏电极之间具有刻蚀阻挡层,形成第一存储电容。
7.根据权利要求6所述的AMOLED显示基板,其特征在于,所述发光二极管包括底电极和顶电极,所述底电极与所述漏电极电性连接,所述顶电极与所述第一电极电性连接,所述顶电极在所述显示基板所在平面上的正投影与所述漏电极在述显示基板所在平面上的正投影存在交叠区域,且所述顶电极和所述漏电极之间具有绝缘层,形成第二存储电容。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求4-7中任一项所述的
AMOLED显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的