[发明专利]数据写入方法、存储器控制电路单元及存储器存储装置

说明书

本发明提供一种用于可复写式非易失性存储器模块的数据写入方法、存储器控制电路单元及存储器存储装置，其数据写入方法包括：将可复写式非易失性存储器模块的实体抹除单元至少分组为第一区与第二区，其中第二区的实体抹除单元是以单页程序化模式来写入数据并且第一区的实体抹除单元是以多页程序化模式来写入数据。此方法还包括：接收第一数据；以及判断在第一区的实体抹除单元之中只有部分实体程序化单元被程序化的实体抹除单元的数目是否小于预定数目，以及若是，则将第一数据写入至第二区的实体抹除单元。本发明能够有效提升程序化数据的速度与可靠度。

技术领域

本发明涉及一种数据写入方法，尤其涉及一种用于可复写式非易失性存储器模块的数据写入方法、存储器控制电路单元及存储器存储装置。

背景技术

数码相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器(rewritable non-volatile memory)具有数据非易失性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性，最适于可携式电子产品，例如笔记本电脑。固态硬盘就是一种以快闪存储器模块作为存储媒体的存储器存储装置。因此，近年快闪存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。

在与非(NAND)型快闪存储器模块中，实体程序化单元是由排列在同一条字元线上的数个记忆胞所组成。依据每个记忆胞可存储的位数，NAND型快闪存储器模块可区分为单阶存储单元(Single Level Cell,SLC)NAND型快闪存储器模块、多阶存储单元(MultiLevel Cell,MLC)NAND型快闪存储器模块与三阶存储单元(Trinary Level Cell,TLC)NAND型快闪存储器模块，其中SLC NAND型快闪存储器模块的每个记忆胞可存储1个位的数据(即，“1”与“0”)，MLC NAND型快闪存储器模块的每个记忆胞可存储2个位的数据并且TLCNAND型快闪存储器模块的每个记忆胞可存储3个位的数据。

由于SLC NAND型快闪存储器模块的每个记忆胞可存储1个位的数据，因此，在SLCNAND型快闪存储器模块中，排列在同一条字元线上的数个记忆胞是对应一个实体程序化单元。

相对于SLC NAND型快闪存储器模块来说，MLC NAND型快闪存储器模块的每个记忆胞的浮动门存储层可存储2个位的数据，其中每一个存储状态(即，“11”、“10”、“01”与“00”)包括最低有效位(Least Significant Bit,LSB)以及最高有效位(Most Significant Bit,MSB)。例如，存储状态中从左侧算起的第1个位的值为LSB，而从左侧算起的第2个位的值为MSB。因此，排列在同一条字元线上的数个记忆胞可组成2个实体程序化单元，其中由此些记忆胞的LSB所组成的实体程序化单元称为下实体程序化单元(low physical programmingunit)，并且由此些记忆胞的MSB所组成的实体程序化单元称为上实体程序化单元(upperphysical programming unit)。特别是，当程序化上实体程序化单元发生错误时，下实体程序化单元所存储的数据也可能因此遗失。