[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审

专利信息
申请号: 201610457930.9 申请日: 2016-06-22
公开(公告)号: CN107527868A 公开(公告)日: 2017-12-29
发明(设计)人: 郑大燮;马燕春;陈德艳;周川淼 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/8238 分类号: H01L21/8238
代理公司: 北京市磐华律师事务所11336 代理人: 董巍,高伟
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体器件 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

现有的互补金属氧化物半导体(CMOS)等技术中,在形成N阱和P阱,并完成浅沟槽隔离和栅极结构的制作以后,需要进行源漏区的制造。

随着栅极结构的宽度不断减小,其下方的沟道长度也不断减小,沟道长度的减小增加了源漏间电荷穿通的可能性,即出现不希望的漏电流,因此,需要采用一些工艺手段来降低漏电流出现的可能性,如轻掺杂漏极(LDD)注入。

而目前为了满足3.3V NMOS更高的性能要求,需要在保持现有的击穿电压不变甚至更高的前提下,将饱和源-漏电流(Idsat)提升10%以上。

因此,有必要提出一种新的半导体器件的制造方法,以进一步提升器件的性能来满足更高的性能要求。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题,本发明一方面提供一种半导体器件的制造方法,包括:

提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有栅极结构;

在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成轻掺杂源/漏极,形成所述轻掺杂源/漏极的方法包括:对所述栅极结构两侧的半导体衬底进行第一导电类型掺杂剂的第一离子注入,以及第二导电类型掺杂剂的第二离子注入,其中,所述第一离子注入为倾斜离子注入,所述第一离子注入的注入角度大于所述第二离子注入的注入角度,所述注入角度为掺杂剂的注入方向与垂直于所述半导体衬底的表面的平面的夹角。

进一步,所述第一离子注入的注入角度范围为7~45度。

进一步,所述第一导电类型掺杂剂为N型掺杂剂,所述第二导电类型掺杂剂为P型掺杂剂。

进一步,所述N型掺杂剂为磷或砷中的一种或它们的组合。

进一步,所述P型掺杂剂包括铟。

进一步,所述第二离子注入的注入角度为0度。

进一步,所述第一离子注入的注入能量大于所述第二离子注入的注入能量。

进一步,在形成所述轻掺杂源/漏极之后,还包括在所述栅极结构的两侧壁上形成侧墙的步骤。

进一步,在形成所述侧墙之后,还包括在栅极结构两侧的半导体衬底中形成源/漏极区域的步骤。

进一步,在形成所述源/漏极区域之后还包括进行热退火以激活半导体衬底中的掺杂剂的步骤。

根据本发明的制造方法,可以降低栅诱导漏极泄漏电流,提高了击穿电压,增大了器件的饱和源-漏电流,进而提高了器件的性能。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述,用来解释本发明的原理。

附图中:

图1A-图1C示出了本发明的一实施例中的一种半导体器件的制造方法的相关步骤形成的结构的剖视图;

图2示出了本发明的一个实施例的一种半导体器件的制造方法的示意性流程图。

具体实施方式

在下文的描述中,给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而,对于本领域技术人员而言显而易见的是,本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中,为了避免与本发明发生混淆,对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是,本发明能够以不同形式实施,而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地,提供这些实施例将使公开彻底和完全,并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中,为了清楚,层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

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