[发明专利]一种用于混凝土防腐的四元硫化物半导体材料及制备方法

权利要求书

1.一种用于混凝土防腐的四元硫化物半导体材料，其特征在于，其化学组成式为：Cs₂Ag₂As₂S₅，属于三斜晶系，P-1空间群，晶胞参数α＝63.28(3)°，β＝82.11(3)°，γ＝87.78(3)°，Z＝2，Dc＝4.293g/cm³，能隙为2.45eV。

2.一种如权利要求1所述的四元硫化物半导体材料的制备方法，其特征在于以摩尔比分别为1.0-2.0：1.0-2.0：0.5：2.0-3.0的氢氧化铯一水合物、金属银、二元固溶体三硫化二砷和单质硫为原料；以体积比为0.5-1.0：2.0-3.0的乙二胺和聚乙二醇400的混合液为溶剂；将每0.462-0.769克原料加入2.5-4.0mL所述的溶剂中，并在140-160℃环境下反应5-8天，经去离子水和乙醇洗涤后得到四元硫化物半导体材料Cs₂Ag₂As₂S₅。

3.一种如权利要求1所述的四元硫化物半导体材料的用途，其特征在于：作为用于光催化杀菌的混凝土防腐涂料。

4.一种如权利要求1所述的四元硫化物半导体材料的用途，其特征在于：用于制备光电化学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。