[发明专利]一种碳化硅单晶炉用压力控制系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种压力控制系统，具体涉及一种单晶炉压力控制系统。

背景技术

碳化硅单晶生长中，载气一般使用氩气，不同的排气速度对生长晶体的多型有很大的影响。在确定生长时的温度梯度后，影响碳化硅单晶生长最重要的因素就是控制压力，但是目前的碳化硅单晶生长炉中还没有比较稳定、控制精确的压力控制系统。

发明内容

发明目的：本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种控制精确，运行平稳的碳化硅单晶炉用压力控制系统。

技术方案：为了解决上述技术问题，本发明所述的一种碳化硅单晶炉用压力控制系统，它包括反应室，在所述反应室一侧设有充气管路，另一侧设有主抽气管路和压力控制管路，在所述充气管路上设有充气阀和质量流量控制器，在所述主抽气管路上设有第一机械泵和第一抽气阀，在所述主抽气管路上设有分抽气管路，在所述分抽气管路上设有分子泵和第二抽气阀，在所述压力控制管路上设有压力传感器、压力控制阀、PID控制电路和第二机械泵，所述分抽气管路与压力控制管路相连。

所述分抽气管路设在第一机械泵和第一抽气阀之间的主抽气管路上。

所述分抽气管路与压力传感器前部的压力控制管路相连。

有益效果：本发明与现有技术相比，其显著优点是：本发明整体结构设置合理，设置由充气阀和质量流量控制器组成的充气管路，及第一机械泵、第一抽气阀、分子泵和第二抽气阀组成的抽气管路，及压力传感器、PID控制电路、压力控制阀和第二机械泵组成的压力控制管路，确保控制精确，整体运行平稳可靠，为碳化硅单晶生长提供良好的压力环境。

附图说明

图1是本发明的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。

如图1所示，本发明所述的一种碳化硅单晶炉用压力控制系统，它包括反应室1，在所述反应室1一侧设有充气管路2，另一侧设有主抽气管路3和压力控制管路4，在所述充气管路2上设有充气阀5和质量流量控制器6，在所述主抽气管路3上设有第一机械泵7和第一抽气阀8，在所述主抽气管路3上设有分抽气管路9，在所述分抽气管路9上设有分子泵10和第二抽气阀11，在所述压力控制管路4上设有压力传感器12、压力控制阀13、PID控制电路14和第二机械泵15，所述分抽气管路9与压力控制管路4相连；所述分抽气管路9设在第一机械泵7和第一抽气阀8之间的主抽气管路上；所述分抽气管路9与压力传感器12前部的压力控制管路4相连。本发明整体结构设置合理，设置由充气阀和质量流量控制器组成的充气管路，及第一机械泵、第一抽气阀、分子泵和第二抽气阀组成的抽气管路，及压力传感器、PID控制电路、压力控制阀和第二机械泵组成的压力控制管路，确保控制精确，整体运行平稳可靠，为碳化硅单晶生长提供良好的压力环境。

本发明提供了一种思路及方法，具体实现该技术方案的方法和途径很多，以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围，本实施例中未明确的各组成部分均可用现有技术加以实现。