[发明专利]电子设备及其制造方法

权利要求书

1.一种包括半导体存储器的电子设备，

其中，半导体存储器包括磁性隧道结MTJ结构，MTJ结构包括：自由层，具有可改变的磁化方向；钉扎层，具有钉扎的磁化方向；以及隧道阻挡层，夹在自由层与钉扎层之间，

其中，自由层包括CoFeAlB合金，

其中，Al在CoFeAlB合金中的含量小于10％。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，Al在CoFeAlB合金中的含量为5％或者更大。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，半导体存储器还包括底层，底层设置在MTJ结构之下，并且用于增加位于底层之上的层的垂直磁性晶体各向异性。

4.根据权利要求3所述的电子设备，其中，底层包括AlN。

5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，半导体存储器还包括磁校正层，磁校正层减少由钉扎层产生的杂散磁场的影响。

6.根据权利要求5所述的电子设备，其中，磁校正层设置在MTJ结构之上。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其中，半导体存储器还包括间隔件层，间隔件层夹在MTJ结构与磁校正层之间，并且包括贵金属。

8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，半导体存储器还包括一个或多个层，一个或多个层设置在MTJ结构之上或之下，并且具有与MTJ结构的侧壁对齐的侧壁。

9.根据权利要求3所述的电子设备，其中，底层的侧壁不与MTJ结构的侧壁对齐。

10.根据权利要求9所述的电子设备，其中，底层的上表面的宽度比MTJ结构的下表面的宽度大。

11.根据权利要求1所述的电子设备，还包括微处理器，微处理器包括：

控制单元，被配置成从微处理器的外部接收包括命令的信号，并且执行命令的提取、解码、或者控制微处理器的信号的输入或输出；

操作单元，被配置成基于控制单元对命令解码的结果来执行运算；以及

存储单元，被配置成存储用于执行运算的数据、与执行运算的结果相对应的数据、或者用于执行运算的数据的地址，

其中，半导体存储器是微处理器中的存储单元的部件。

12.根据权利要求1所述的电子设备，还包括处理器，处理器包括：

核心单元，被配置成基于从处理器的外部输入的命令，通过使用数据来执行与命令相对应的操作；

高速缓冲存储单元，被配置成存储用于执行运算的数据、与执行运算的结果相对应的数据、或者用于执行运算的数据的地址；以及

总线接口，连接在核心单元与高速缓冲存储单元之间，并且被配置成在核心单元与高速缓冲存储单元之间传送数据，

其中，半导体存储器是处理器中的高速缓冲存储单元的部件。

13.根据权利要求1所述的电子设备，还包括处理系统，处理系统包括：

处理器，被配置成将通过处理器接收的命令解码，并且基于对命令解码的结果而控制对于信息的操作；

辅助存储器件，被配置成存储用于将命令和信息解码的程序；

主存储器件，被配置成调用和存储来自辅助存储器件的程序和信息，使得处理器在执行程序时能够使用程序和信息而执行操作；以及

接口器件，被配置成在处理器、辅助存储器件和主存储器件中的至少一个与外部之间执行通信，

其中，半导体存储器是处理系统中辅助存储器件或者主存储器件的部件。