[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底上的主栅极和位于所述主栅极之下的沟道，以及位于所述主栅极和沟道两侧的所述半导体衬底中的源极和漏极，在所述源极和漏极之间的所述半导体衬底上还设置有n个子栅极，所述主栅极和所述n个子栅极之间彼此分离，所述n个子栅极并列布置，

其中，所述主栅极和所述n个子栅极每个均可单独施加不同的电压，通过控制施加电压的子栅极的数量来调节施加在所述沟道上的电压，从而获得不同的饱和电流，n为大于等于1的整数，以及其中，

所述主栅极包括n个开口，在每个所述开口中设置有一个所述子栅极，或者，所述主栅极包括n+1个指状部，在相邻的两个所述指状部之间设置有一个所述子栅极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个所述子栅极沿源极和漏极的方向设置。

3.根据权利要求1-2任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为NMOS器件或PMOS器件。

4.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极材料层和位于所述栅极材料层两侧的所述半导体衬底中的源极和漏极；

图形化所述栅极材料层，以形成主栅极以及n个与所述主栅极彼此分离的子栅极，所述n个子栅极并列布置；

形成所述主栅极、n个子栅极、源极和漏极的接触，

其中，所述主栅极和所述n个子栅极每个均可单独施加不同的电压，通过控制施加电压的子栅极的数量来调节施加在沟道上的电压，从而获得不同的饱和电流，n为大于等于1的整数，其中，所述主栅极包括n个开口，在每个所述开口中设置有一个所述子栅极，或者，所述主栅极包括n+1个指状部，在相邻的两个所述指状部之间设置有一个所述子栅极。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，每个所述子栅极沿源极和漏极的方向设置。

6.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1-3任意一项所述的半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件。