[发明专利]用于单晶硅制绒后不良片处理的制绒剂及其制作方法和单晶硅制绒后不良片的处理方法

权利要求书

1.用于单晶硅制绒后不良片处理的制绒剂，其特征在于：包括氢氧化钠或氢氧化钾和制绒添加剂，氢氧化钠或氢氧化钾的质量百分含量为0.5％～5％，制绒添加剂包括体积百分含量为0.1％～8％的低挥发性有机化合物、体积百分含量为92％～99.9％的去离子水。

2.根据权利要求1所述的用于单晶硅制绒后不良片处理的制绒剂，其特征在于：低挥发性有机化合物为含有3～7个碳的低级脂肪胺、含有3～8个碳的多元醇、含有3～14个碳的羧酸、含有4～8个碳的醚类中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的用于单晶硅制绒后不良片处理的制绒剂，其特征在于：含有3～7个碳的低级脂肪胺为三乙胺、乙醇胺、四甲基乙二胺、戊胺、三丙胺中的一种或几种。

4.根据权利要求2所述的用于单晶硅制绒后不良片处理的制绒剂，其特征在于：含有3～8个碳的多元醇为乙二醇、丙三醇、山梨醇、一缩二乙二醇、一缩乙二醇、季戊二醇、异辛醇中的一种或几种。

5.根据权利要求2所述的用于单晶硅制绒后不良片处理的制绒剂，其特征在于：含有3～14个碳的羧酸为3-甲基丙酸、β-氨基丙酸、柠檬酸、4-氨基丁酸、乙二胺四乙酸、乙二酸中的一种或几种。

6.根据权利要求2所述的用于单晶硅制绒后不良片处理的制绒剂，其特征在于：含有4～8个碳的醚类为丙二醇甲醚、乙二醇乙醚、二乙二醇乙醚中的一种或几种。

7.制作权利要求1或2或3或4或5或6所述的用于单晶硅制绒后不良片处理的制绒剂的方法，其特征在于：配制低挥发性有机化合物；用去离子水配制氢氧化钠水溶液或氢氧化钾水溶液，将氢氧化钠水溶液或氢氧化钾水溶液加热至65～80℃，加入低挥发性有机化合物，混合均匀，得到制绒液。

8.单晶硅制绒后不良片的处理方法，其特征在于：包括以下步骤：将单晶硅制绒后不良片分别置于乙醇、丙酮和异丙醇中超声清洗；将清洗后的单晶硅制绒后不良片置于权利要求7制得的用于单晶硅制绒后不良片处理的制绒剂中进行制绒。

9.权利要求8所述的单晶硅制绒后不良片的处理方法，其特征在于：制绒时，温度控制在70～85℃，反应时间为5～10min。