[发明专利]电源电路在审

专利信息
申请号: 201610443143.9 申请日: 2016-06-20
公开(公告)号: CN107528469A 公开(公告)日: 2017-12-29
发明(设计)人: 李现华 申请(专利权)人: 深圳市中兴微电子技术有限公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156;H02M3/157
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 代理人: 姚开丽,张振伟
地址: 518085 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电源 电路
【说明书】:

技术领域

发明实施例涉及电源效率调整技术,尤其涉及一种电源电路。

背景技术

目前,现有的手机终端的客户识别模块(Subscriber Identification Module,SIM)卡或安全数字存储卡(Secure Digital Memory Card,SD)卡电源都采用1.8v/3v可变电压输出技术,以适于不同电压的SIM卡或者SD卡,其供电电源采用低压差线性稳压器,电源的输入都是固定电压,一般较高的输入电压值Vi为3.4v-4.2v,如附图1,当输出电压Vo较高时,如Vo=3.0v时,因电源的转换效率为Vo/Vi,所以效率较高,但是,当适配1.8v的卡时,由于输入电压Vi保持不变,所以电源的效率就非常低,在当前对手机待机时间要求较高的情况下,现有的电源方案存在功耗浪费的情况,影响手机的续航能力。

直接采用直流到直流转换(DC/DC)电源给SIM/SD卡供电,可以提高供电效率,但DC/DC电源存在供电能力强,电压波动比较大的情况,且输出电压上耦合了较高的高频干扰,直接给SIM/SD供电可能会因供电电流较大而造成SIM/SD卡损坏的情况,也会因为较高的开关频率会耦合在输出电压上,给SIM/SD带来高频干扰,造成SIM/SD信号读写出错。

发明内容

为解决现有存在的技术问题,本发明实施例提供一种电源电路,以实现动态提高电源效率,降低系统功耗的目的。

为达到上述目的,本发明实施例的技术方案是这样实现的:

一种电源电路,包括:电源输入模块、电源输出模块以及加法电路模块;

其中,所述电源输入模块,用于根据所述加法电路模块输出的调整电压,向所述电源输出模块输出工作电压;

所述电源输出模块,用于根据所述电源输入模块输出的所述工作电压,以 及电源控制信号输入的参考电压,向所述加法电路模块输出实际工作电压;

所述加法电路模块,用于将所述电源输出模块输出的所述实际工作电压与所述加法电路模块参考电压相加,得到所述调整电压并向所述电源输入模块输出。

如上所述的电源电路,其中,所述电源输入模块包括:直流电源U1、输出电感L1、反馈配置电阻R1、反馈配置电阻R2、输出滤波电容C1以及比较器COMP1;

所述直流电源U1的输出与所述输出电感L1的一端相连,所述输出电感L1的另一端与所述反馈配置电阻R1的一端、所述输出滤波电容C1的一端以及所述电源输出模块的输入端相连,所述反馈配置电阻R1的另一端分别与所述反馈配置电阻R2的一端、以及所述比较器COMP1的负端相连,所述输出滤波电容C1的另一端以及所述反馈配置电阻R2的另一端均接地;所述比较器COMP1的正端与所述加法电路模块的输出端相连,所述比较器COMP1的输出端与所述直流电源U1的输入端相连。

如上所述的电源电路,其中,所述电源输出模块包括:PMOS开关管Q1、输出电容C2,反馈配置电阻R5、反馈配置电阻R6、比较器COMP2以及数字模拟转换器DAC模块;

所述PMOS开关管Q1的源极与所述输出电感L1的一端连接,所述PMOS开关管Q1的漏极与所述输出电容C2的一端、所述反馈配置电阻R5的一端以及所述加法电路模块的输入端连接,所述PMOS开关管Q1的栅极与所述比较器COMP2的输出端连接;

所述输出电容C2的另一端接地;所述反馈配置电阻R5的另一端分别与所述反馈配置电阻R6的一端以及所述比较器COMP2的负端连接;所述反馈配置电阻R6的另一端接地;所述比较器COMP2的正端与所述DAC模块的输出端连接,所述电源控制信号从所述DAC的输入端输入。

如上所述的电源电路,其中,所述加法电路模块包括:电压同向加法器、输出电压配置电阻R3、输出电压配置电阻R4;

所述电压同向加法器的输入端分别与所述PMOS开关管Q1的漏极以及加法电路模块参考电压相连,所述电压同向加法器的输出端与所述输出电压配置电阻R3的一端相连,所述输出电压配置电阻R3的另一端分别与所述输出电压 配置电阻R4的一端以及所述比较器COMP1的正端相连,所述输出电压配置电阻R4的另一端接地。

如上所述的电源电路,其中,所述反馈配置电阻R1的阻值与所述输出电压配置电阻R3的阻值相同;所述反馈配置电阻R2的阻值与所述输出电压配置电阻R4的阻值相同。

如上所述的电源电路,其中,所述加法电路模块参考电压为所述PMOS开关管Q1的最小转压值。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市中兴微电子技术有限公司,未经深圳市中兴微电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610443143.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top