[发明专利]使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201610440954.3 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN105957887B | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | D.H.富赫斯;R.克內夫勒;J.莱文;H-J.舒尔策;W.舒斯特雷德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L21/265;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 使用 离子 注入 制造 半导体器件 方法 以及 | ||
【权利要求书】：
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