[发明专利]半可控圆筒型直线电磁阻尼器

说明书

技术领域

本发明属于电机技术领域。

背景技术

永磁涡流阻尼器是利用永磁体磁场与导体涡流磁场之间相互作用而产生阻尼力的一种装置，具有非接触、无摩擦、无噪音等优点，在减振隔振系统、电机测试装置及高精度仪器设备中都具有较好的应用前景。然而，由于永磁式涡流阻尼器一般仅由永磁体、导体板、导磁轭板等无源部件组成，因此其不具备阻尼力的调整能力，限制了其在某些场合的进一步应用。

为了获得阻尼力的可控性，目前多采用电励磁涡流阻尼器的方式，通过改变励磁电流来控制磁场的强弱，进而改变阻尼力的大小。但是，这种方式存在的问题是需要额外的直流励磁电源，而且励磁绕组在建立磁场过程中会产生附加的铜耗。

发明内容

本发明是为了解决永磁涡流阻尼器阻尼力不可控的问题，本发明提供了一种半可控圆筒型直线电磁阻尼器。

本发明所述的半可控圆筒型直线电磁阻尼器包括四种方案：

方案一：

半可控圆筒型直线电磁阻尼器，它包括初级、次级、不可控型三相整流桥、二极管D1、电阻R、电容C和功率开关管S；

初级包括导体环、三相绕组、初级导磁轭环和初级套筒，

次级包括次级套筒、永磁体和极间铁心，

初级为圆筒型结构，由内至外依次为：导体环、三相绕组、初级导磁轭环和初级套筒，三相绕组缠绕在导体环上，且三相绕组的三相电流输出端与不可控型三相整流桥的三相电流输入端连接，

不可控型三相整流桥正极电源输出端与二极管D1的阳极连接，二极管D1的阴极同时与功率开关管S的正极、电容C的一端和电阻R的一端连接，

不可控型三相整流桥负极电源输出端同时与功率开关管S的负极、电容C的另一端和电阻R的另一端连接；

次级为圆柱型结构，初级套在次级上，初级和次级同轴；

永磁体为圆环或圆盘形结构，极间铁心为圆环或圆盘形结构，

永磁体和极间铁心均位于次级套筒内，且二者沿次级套筒的轴向交替分布，永磁体的充磁方向为轴向充磁，且相邻的两个永磁体的充磁方向相反。

方案二：

半可控圆筒型直线电磁阻尼器，它包括初级、次级、可控型三相整流桥、电阻R和电容C；

初级包括导体环、三相绕组、初级导磁轭环和初级套筒，

次级包括次级套筒、永磁体和极间铁心，

初级为圆筒型结构，由内至外依次为：导体环、三相绕组、初级导磁轭环和初级套筒，三相绕组缠绕在导体环上，且三相绕组的三相电流输出端与可控型三相整流桥的三相电流输入端连接，

可控型三相整流桥的直流输出端口同时并联电阻R和电容C；

次级为圆柱型结构，初级套在次级上，初级和次级同轴；

永磁体为圆环或圆盘形结构，极间铁心为圆环或圆盘形结构，

永磁体和极间铁心均位于次级套筒内，且二者沿次级套筒的轴向交替分布，永磁体的充磁方向为轴向充磁，且相邻的两个永磁体的充磁方向相反。

方案一和二中所述的半可控圆筒型直线电磁阻尼器，所述的永磁体外径、极间铁心外径和次级套筒内径尺寸相同。

方案三：

半可控圆筒型直线电磁阻尼器，它包括初级、次级、不可控型三相整流桥、二极管D1、电阻R、电容C和功率开关管S；

初级包括导体环、三相绕组、初级导磁轭环和初级套筒，

次级包括次级套筒、永磁体、非导磁间隔环和次级导磁轭环，

初级为圆筒型结构，由内至外依次为：导体环、三相绕组、初级导磁轭环和初级套筒，三相绕组缠绕在导体环上，且三相绕组的三相电流输出端与不可控型三相整流桥的三相电流输入端连接，

不可控型三相整流桥正极电源输出端与二极管D1的阳极连接，二极管D1的阴极同时与功率开关管S的正极、电容C的一端和电阻R的一端连接，

不可控型三相整流桥负极电源输出端同时与功率开关管S的负极、电容C的另一端和电阻R的另一端连接；

次级为圆筒型结构，初级套在次级上，初级和次级同轴；

永磁体圆环形结构，永磁体和非导磁间隔环均套在次级导磁轭环上，且二者沿次级导磁轭环轴向交替分布，

永磁体的充磁方向为径向充磁，且相邻两个永磁体充磁方向相反，

次级套筒套在永磁体和非导磁间隔环外侧。

方案四：

半可控圆筒型直线电磁阻尼器，它包括初级、次级、可控型三相整流桥、电阻R和电容C；

初级包括导体环、三相绕组、初级导磁轭环和初级套筒，