[发明专利]载流子存储型IGBT及其制造方法在审
| 申请号： | 201610427926.8 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106098760A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 柯行飞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 载流子 存储 igbt 及其 制造 方法 | ||
【说明书】：
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