[发明专利]用于蚀刻扫描隧道显微镜针尖的装置和方法有效
申请号: | 201610427573.1 | 申请日: | 2016-06-16 |
公开(公告)号: | CN107515316B | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 李健梅;孙丽欢;唐向前;陆兴华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | G01Q60/16 | 分类号: | G01Q60/16 |
代理公司: | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人: | 黄小临;冯玉清 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 蚀刻 扫描 隧道 显微镜 针尖 装置 方法 | ||
1.一种用于蚀刻扫描隧道显微镜针尖的装置,包括:
电路模块(110),包括电路单元(114)和数据采集卡(116),所述电路单元(114)包括第一P型晶体管(220)和第二N型晶体管(230),所述第一P型晶体管(220)的源极接收来自所述数据采集卡(116)的第一输出端子(AO0)的电源电压,所述第一P型晶体管(220)的漏极连接到所述第二N型晶体管(230)的漏极,并且连接到待蚀刻的针尖(132),所述第一P型晶体管(220)的栅极连接到所述第二N型晶体管(230)的栅极,所述第二N型晶体管(230)的源极连接到地电势,所述电路单元(114)还包括比较器(240),所述比较器(240)的正极输入接收来自所述数据采集卡(116)的第二输出端子(AO1)的参考电压(Vref),所述比较器(240)的负极输入接收来自阴极电极(134)的蚀刻电压(Vetch),所述比较器(240)的输出被提供给所述第一P型晶体管(220)和所述第二N型晶体管(230)二者的栅极;以及
控制模块(120),其连接到所述数据采集卡(116)以控制所述数据采集卡(116)的各个输出,
其中,来自所述阴极电极(134)的蚀刻电压(Vetch)还被提供给所述数据采集卡(116)的第一输入端口(AI0),所述蚀刻电压(Vetch)和所述参考电压(Vref)满足如下公式:
其中,表示在时刻i的参考电压,表示在时刻i之前的一个时刻的参考电压,表示在时刻i之前的一个时刻的蚀刻电压,β表示滤波常数,Δt表示时间变量,A表示参考电流控制百分比,以及
所述数据采集卡(116)的第一输出端子(AO0)的输出电流IAO0满足如下公式:
其中,Iset表示设置电流,其是蚀刻过程中的最小蚀刻电流,表示在时刻i的蚀刻电流,表示在时刻i之前的一个时刻的蚀刻电流,σ表示反馈系数。
2.如权利要求1所述的装置,其中,在蚀刻期间所述蚀刻电压(Vetch)大于所述参考电压(Vref),在所述针尖被蚀刻断裂时所述蚀刻电压(Vetch)变得小于所述参考电压(Vref)。
3.如权利要求1所述的装置,还包括放大器(210),所述放大器(210)配置为将所述数据采集卡(116)的第一输出端子(AO0)的电源电压放大后提供给所述第一P型晶体管(220)的源极。
4.如权利要求1所述的装置,其中,所述滤波常数β在1-20的范围,所述时间变量Δt的计时周期为1-1000ms,所述设置电流Iset为3-4mA,所述反馈系数σ在0.001-0.1的范围,所述参考电流控制百分比A在1%-99%的范围,且
其中,所述滤波常数β、所述时间变量Δt的计时周期、所述设置电流Iset、所述反馈系数σ和所述参考电流控制百分比A能在所述控制模块(120)处设置。
5.如权利要求1所述的装置,还包括三维平移台(130),所述针尖(132)安装在所述三维平移台(130)上以插入到蚀刻溶液中。
6.如权利要求1所述的装置,还包括成像模块(140),其用于对所述针尖(132)成像以控制所述针尖插入到蚀刻溶液中的深度。
7.如权利要求1所述的装置,其中,所述控制模块120是计算机装置,其通过USB接口连接到所述数据采集卡。
8.一种使用权利要求1所述的装置来蚀刻扫描隧道显微镜针尖的方法,所述方法包括:
将待蚀刻的针尖和阴极材料插入到蚀刻溶液中;
通过所述数据采集卡(116)的第一输出端子(AO0)向所述针尖施加电流IAO0,所述电流IAO0满足公式其中Iset表示设置电流,其是蚀刻过程中的最小蚀刻电流,表示在时刻i的蚀刻电流,表示在时刻i之前的一个时刻的蚀刻电流,σ表示反馈系数;
监视所述阴极材料处的蚀刻电压(Vetch),并且将所述参考电压(Vref)配置为满足公式其中表示在时刻i的参考电压,表示在时刻i之前的一个时刻的参考电压,表示在时刻i之前的一个时刻的蚀刻电压,β表示滤波常数,Δt表示时间变量,A表示参考电流控制百分比;以及
由所述比较器比较所述蚀刻电压(Vetch)和所述参考电压(Vref),当所述蚀刻电压(Vetch)大于所述参考电压(Vref)时,所述比较器输出低电平,所述第一P型晶体管导通,所述第二N型晶体管截止,对所述针尖的蚀刻继续进行,当所述蚀刻电压(Vetch)小于所述参考电压(Vref)时,所述比较器输出高电平,所述第一P型晶体管截止,所述第二N型晶体管导通,对所述针尖的蚀刻停止。
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