[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

源极层，包括在其上表面内的至少一个凹槽；

层叠结构，形成在源极层之上；

沟道层，穿过层叠结构，沟道层与源极层接触；

缝隙，穿过层叠结构，缝隙通过穿过层叠结构而暴露出源极层的凹槽；以及

源极拾取线，形成在缝隙和凹槽内，源极拾取线与源极层接触，

其中，缝隙的宽度比至少一个凹槽要窄。

2.一种半导体器件，包括：

源极层，包括在其上表面内的至少一个凹槽；

层叠结构，形成在源极层之上；

沟道层，穿过层叠结构，沟道层与源极层接触；

缝隙，穿过层叠结构，缝隙通过穿过层叠结构而暴露出源极层的凹槽；以及

源极拾取线，形成在缝隙和凹槽内，源极拾取线与源极层接触，

其中，源极拾取线包括：

第一区，形成在凹槽内；以及

第二区，形成在缝隙内，第二区具有比第一区窄的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，源极拾取线包括金属。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括形成在缝隙的内壁上的绝缘间隔件。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，源极层包括：

第一源极层，设置在单元区内；以及

第二源极层，形成在第一源极层上，第二源极层包括凹槽。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

晶体管，设置在外围区内，晶体管具有由与第一源极层相同的材料形成的栅电极。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

电阻器图案，设置在外围区内，电阻器图案设置在与第二源极层大体上相同的水平处。

8.一种半导体器件，包括：

源极层，包括在其上表面内的至少一个凹槽；

层叠结构，形成在源极层之上；

沟道层，穿过层叠结构，沟道层与源极层接触；

缝隙，穿过层叠结构，缝隙通过穿过层叠结构而暴露出源极层的凹槽；以及

源极拾取线，形成在缝隙和凹槽内，源极拾取线与源极层接触，以及

插置在源极层与层叠结构之间的至少一个空隙。

9.一种半导体器件，包括：

源极层，其设置在单元区内并包括位于其上表面内的至少一个凹槽；

层叠结构，形成在源极层上；

沟道层，穿过层叠结构，沟道层与源极层接触；

缝隙，穿过层叠结构，缝隙通过穿过层叠结构而暴露出源极层的凹槽；

缝隙绝缘层，与源极层接触，并且形成在缝隙和凹槽内；以及

电阻器图案，设置在外围区内，电阻器图案设置在与源极层对应的水平处，

其中，缝隙的宽度比至少一个凹槽要窄。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，源极层包括：

第一源极层；以及

第二源极层，形成在第一源极层上，第二源极层包括凹槽。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，第一源极层包括顺序层叠的第一多晶硅层、金属层和第二多晶硅层。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：

晶体管，设置在外围区内，晶体管具有由与第一源极层相同的材料形成的栅电极。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，

其中，电阻器图案设置在与第二源极层大体上相同的水平处。

14.根据权利要求9所述的半导体器件，

其中，缝隙绝缘层包括：

第一区，形成在凹槽内；以及

第二区，形成在缝隙内，第二区具有比第一区窄的宽度。