[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括中心区域和边缘区域，所述中心区域和边缘区域的基底内具有底层金属层；

在中心区域和边缘区域的基底上形成阻挡层；

在所述阻挡层上形成介质层；

在所述介质层上形成掩膜层，中心区域的基底上的掩膜层中具有第一沟槽图形开口，边缘区域的基底上的掩膜层中具有第二沟槽图形开口；

在第一沟槽图形开口底部的介质层中形成第一接触孔；

在第二沟槽图形开口底部的介质层中形成第二接触孔；

形成第一接触孔和第二接触孔后，以所述掩膜层为掩膜刻蚀介质层直至暴露出阻挡层表面，在中心区域的基底上的介质层中形成第一沟槽，在边缘区域的基底上的介质层中形成第二沟槽，所述介质层相对于阻挡层的刻蚀选择比值大于等于10；

刻蚀第一沟槽和第二沟槽暴露出的阻挡层直至暴露出底层金属层表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在以所述掩膜层为掩膜刻蚀介质层直至暴露出阻挡层表面的过程中，所述介质层相对于阻挡层的刻蚀选择比值为10～50。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为氮化铝或者氮化硼。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为HfO₂、La₂O₃、HfSiON、HfAlO₂、ZrO₂、Al₂O₃、La₂O₃或HfSiO₄。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，中心区域和边缘区域的基底和阻挡层之间还形成有底层阻挡层。

6.根据权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述底层阻挡层的材料为氮化硅或者氮氧化硅。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为低K介质材料或超低K介质材料。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，以所述掩膜层为掩膜刻蚀介质层直至暴露出阻挡层表面的工艺为各向异性等离子体刻蚀工艺，参数为：采用的刻蚀气体为CF₄、C₄F₈、CH₂F₂、CHF₃、H₂和Ar，CF₄的流量为10sccm～200sccm，C₄F₈的流量为0sccm～100sccm，CH₂F₂的流量为0sccm～100sccm，CHF₃的流量为0sccm～100sccm，H₂的流量为0sccm～100sccm，Ar的流量为50sccm～500sccm，源射频功率为200瓦～2000瓦，偏置射频功率为50瓦～500瓦，腔室压强为5mtorr～200mtorr。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一接触孔和第二接触孔的方法为：

形成覆盖所述掩膜层、第一沟槽图形开口和第二沟槽图形开口的平坦层；

在所述平坦层上形成具有第一接触孔图形开口和第二接触孔图形开口的光刻胶层，第一接触孔图形开口位于第一沟槽图形开口上，第二接触孔图形开口位于第二沟槽图形开口上；

以所述光刻胶层和掩膜层为掩膜刻蚀部分厚度的介质层，在所述介质层中形成第一接触孔和第二接触孔；

去除所述光刻胶层和平坦层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成第一沟槽和第二沟槽之后且在刻蚀阻挡层之前，还包括：去除所述掩膜层。

11.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在刻蚀阻挡层直至暴露出底层金属层表面之后，还包括：去除所述掩膜层。

12.根据权利要求10或11所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为多晶硅。