[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成栅极；

形成绝缘层，以覆盖所述栅极；

在所述绝缘层上形成第一金属氧化物半导体层与第二金属氧化物半导体层，并图案化所述第一金属氧化物半导体层与所述第二金属氧化物半导体层，以形成第一金属氧化物半导体图案与第二金属氧化物半导体图案，其中所述第一金属氧化物半导体图案位在所述第二金属氧化物半导体图案与所述绝缘层之间，所述第一金属氧化物半导体层是在第一氧气浓度下形成，所述第二金属氧化物半导体层是在第二氧气浓度下形成，而所述第二氧气浓度大于所述第一氧气浓度；以及

在所述第二金属氧化物半导体图案上形成源极与漏极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体层是在第一温度下形成，所述第二金属氧化物半导体层是在第二温度下形成，而所述第二温度大于所述第一温度。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一氧气浓度为0％，而所述第二氧气浓度介于10％～15％。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一温度介于20℃～30℃，而所述第二温度介于100℃～300℃。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二金属氧化物半导体图案的电阻率大于所述第一金属氧化物半导体图案的电阻率。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，使用相同的材料形成所述第一金属氧化物半导体层与所述第二金属氧化物半导体层。

7.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成栅极；

形成绝缘层，以覆盖所述栅极；

在所述绝缘层上形成第一金属氧化物半导体图案以及第二金属氧化物半导体图案，其中所述第一金属氧化物半导体图案位在所述第二金属氧化物半导体图案与所述绝缘层之间，所述第二金属氧化物半导体图案的载流子迁移率低于所述第一金属氧化物半导体图案的载流子迁移率；以及

在所述第二金属氧化物半导体图案上形成源极与漏极。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在所述第二金属氧化物半导体图案上形成所述源极与所述漏极的步骤包括：

在所述第二金属氧化物半导体图案上形成导电层，以覆盖所述第一金属氧化物半导体图案、所述第二金属氧化物半导体图案以及所述绝缘层；以及

使用蚀刻液图案化所述导电层，以形成所述源极与所述漏极，其中，所述第二金属氧化物半导体图案对所述蚀刻液的蚀刻速率低于所述第一金属氧化物半导体图案对所述蚀刻液的蚀刻速率。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一金属氧化物半导体图案的材料与所述第二金属氧化物半导体图案的材料不同。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二金属氧化物半导体图案的材料为含锡的金属氧化物半导体。

11.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

栅极；

绝缘层，覆盖所述栅极；

半导体结构，包括：

第一金属氧化物半导体图案，配置在所述绝缘层上；以及

第二金属氧化物半导体图案，配置在所述第一金属氧化物半导体图案上；以及

源极与漏极，与所述半导体结构的两侧电连接，其中所述第二金属氧化物半导体图案的电阻率大于所述第一金属氧化物半导体图案的电阻率。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二金属氧化物半导体图案对蚀刻液的蚀刻速率低于所述第一金属氧化物半导体图案对所述蚀刻液的蚀刻速率。

13.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属氧 化物半导体图案的材料与所述第二金属氧化物半导体图案的材料不同。

14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二金属氧化物半导体图案的材料为含锡的金属氧化物半导体。