[发明专利]一种超高频RFID读写器射频电路在审
申请号: | 201610413314.3 | 申请日: | 2016-06-13 |
公开(公告)号: | CN107491707A | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 陈玉梅 | 申请(专利权)人: | 陈玉梅 |
主分类号: | G06K7/10 | 分类号: | G06K7/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110179 辽宁省沈阳市浑南新*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超高频 rfid 读写 射频 电路 | ||
所属技术领域
本发明涉及一种超高频RFID读写器射频电路,适用于射频领域。
背景技术
RFID是射频识别技术(Radio Frequency Identification)的缩写,它是20世纪oo年代开始兴起的一种自动识别技术,RFID技术是一项利用射频信号通过空间耦合(交变磁场或电磁场)实现无接触信息传递并通过所传递的信息达到识别目的的技术。
与目前广泛使用的自动识别技术例如摄像、条码、磁卡、IC卡等相比,射频识别技术具有很多突出优点:(1)非接触操作,长距离识别(几厘米至几十米),故完成识别工作时无须人工干预;(2)无机械磨损,寿命长,良好的耐环境性;(3)可识别高速运动物体并可同时识别多个电子标签;(4)读写器具有不直接对最终用户开放的物理接口,保证其自身的安全性;(5)数据安全方面除电子标签的密码保护外,数据部分可用一些算法实现安全管理;(6)读写器与标签之间存在相互认证的过程,实现安全通信和存储。
目前,长距离射频识别系统的价格还很贵,因此寻找提高其读写距离的方法很重要。影响射频卡读写距离的因素包括天线工作频率、读写器的输出功率、读写器的接收灵敏度、射频卡的功耗、天线及谐振电路的Q值、天线方向、读写器和射频卡的耦合度,以及射频卡本身获得的能量及发送信息的能量等。大多数系统的读取距离和写入距离是不同的,写入距离大约是读取距离的40%~80% 。
发明内容
本发明提供一种超高频RFID读写器射频电路,电路结构紧凑,占用面积小,可以长距离进行识别,且工作稳定,适应性好,提高了工作效率,降低了电路功耗低,具有良好的抗干扰性和可靠性。
本发明所采用的技术方案是:
超高频RFID读写器射频电路由读写器发送模块电路及读写器接收模块电路组成。其中,发送模块包括可控衰减功率放大器、功率放大器;读写器接收模块包括低噪声放大器、混频器电路。
所述可控衰减功率放大器选用 RF2878作为可控衰减功率放大器的核心芯片,其输入输出端口增加了阻抗匹配电路,使射频信号输入和输出端口特征阻抗为50欧姆。RF2878芯片VPD管脚接基带输入信号(由DSP/ARM经编码后的信息序列)。加入了一些必不可少的旁路电容。
所述功率放大器外围电路中,RF2132管脚10, 11输出放大后射频信号,输出电路需经过阻抗电路进行阻抗匹配。在电路调试中,应根据实际要求调节匹配电路器件值,使功放输出端VSWR最小(输出阻抗接近50欧姆)。因功率放大器输出功率高,故其对直流电源产生大量高频干扰。故RF2132电源端口接去耦电感和旁路电容,其目的就是去除直流信号中的高频信号,从而提高芯片的工作性能。
所述低噪声放大器选择MAXIM公司的MAX2640,MAX2640是廉价且超低噪声的小信号功率放大器,主要应用于蜂窝移动通信、PCS, GPS和2.4G ISM频带。射频输入端和输出端接有阻抗匹配网络,调试匹配网络以致得到希望的增益、噪声系数和回波损耗。为减小芯片外围器件个数,电路中电感可用微带线代替。
所述混频器电路的接收体系采用双通道零中频结构,混频器采用下混频,混频器本振端口和射频端口频率要求在902MHz~928MHz,由于是零中频接收,故要求中频口输出信号频率最小到直流信号;由于零中频体系中存在直流偏移噪声,混频器各端口隔离度应足够大,尽量减小混频器自泄露信号;混频器应具有高的变频压缩点和三阶互调点。MC13143D是单端RF输入、差分IF输出和差分LO输入的高压缩线性混频器,其功率只有1.8m W且RF端输入阻抗为50欧姆。MC13143D混频器输出端口为差分IF输出。为把差分双终端转换成单终端,选用Mini-Circuits公司的T16-6T阻抗变换器。T16-6T的频率范围为0.03~75MHz,低插入损耗。既能够实现输出端口阻抗匹配,又能够消除零中频接收体系产生的直流偏差。混频器各端口都进行了有效的阻抗匹配。
本发明的有益效果是:电路结构紧凑,占用面积小,可以长距离进行识别,且工作稳定,适应性好,提高了工作效率,降低了电路功耗低,具有良好的抗干扰性和可靠性。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的可控衰减功率放大器。
图2是本发明的功率放大器。
图3是本发明的低噪声放大器。
图4是本发明的混频器电路。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
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