[发明专利]芯片的制备方法及刻蚀方法

权利要求书

1.一种芯片的制备方法，包括：

提供一衬底，所述衬底包括正面以及与所述正面相背的背面；

在所述衬底的正面上形成M个芯片单元，每个所述芯片单元所对应的衬底具有各自的目标厚度，所述M个芯片单元依据所述目标厚度不同分为N类，M≥N；

对所述衬底的背面进行N次刻蚀，每次刻蚀同一类所述芯片单元所对应的衬底，使同一类所述芯片单元所对应的衬底达到同一所述目标厚度，不同次刻蚀所达到的目标厚度不同；其中，M、N均为大于等于2的正整数，以及，对所述衬底背面进行刻蚀的次数N与所述M个芯片单元所分类的类别数N相等。

2.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，每次刻蚀包括：

在所述衬底的背面进行曝光显影，暴露出所述目标厚度相同的芯片单元所对应的衬底；

刻蚀暴露出的所对应的衬底至目标厚度。

3.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，所述目标厚度为1mil-30mil。

4.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，若同一目标厚度的芯片单元具有多个，采用多重曝光工艺。

5.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，所述衬底包括多个曝光单元，每个曝光单元中皆包括多个所述芯片单元。

6.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，在一所述衬底上形成M个芯片单元后获得一多项目晶圆。

7.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，采用深反应离子蚀刻技术刻蚀暴露出的所对应的衬底。

8.如权利要求7所述的芯片的制备方法，其特征在于，刻蚀所述芯片单元还包括：采用刻蚀平坦化技术处理刻蚀后的芯片单元。

9.如权利要求1所述的芯片的制备方法，其特征在于，在形成M个芯片单元后，对所述衬底的背面进行N次刻蚀之前，还包括：

在所述衬底自正面贴上封装带。

10.如权利要求9所述的芯片的制备方法，其特征在于，对所述衬底的背面进行N次刻蚀之后，还包括：进行切割以获得所需芯片。

11.如权利要求10所述的芯片的制备方法，其特征在于，进行切割以获得所需芯片包括：

去除所述封装带；

进行切割获得M个芯片；

对所述M个芯片进行挑选归类。

12.如权利要求11所述的芯片的制备方法，其特征在于，依据所述芯片的目标厚度对所述M个芯片进行归类。

13.一种刻蚀方法，包括：

提供一前端结构；

对所述前端结构进行N次刻蚀，每次刻蚀在所述前端结构中形成至少一个同一深度的开口，不同次刻蚀所形成的开口深度不同；其中，N为正整数。