[发明专利]一种CL-20/HMX共晶及其复合物的模拟方法

权利要求书

1.一种CL-20/HMX共晶及其复合物的模拟方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1，用材料工作站打开CL-20/HMX共晶的晶体信息文件，把文件中所有的N-O单键改为虚双键；

步骤2，建立超包模型，分别沿(001)、(010)、(100)三个晶面处切割超包模型，得到切割模型；

步骤3，建立HTPB分子链，控制粘结剂HTPB分子的含量为4.5％，将构建好的HTPB分子链逐步压缩并进行分子动力学模拟，直至HTPB分子链的密度达到理论值；

步骤4，在步骤2所得切割模型的上部设置真空层，真空层厚度为压缩后HTPB链的高度，随后用压缩后的HTPB分子链填充该真空层，建立与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型；

步骤5，对切割模型和与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型进行分子动力学模拟。

2.根据权利要求1所述的CL-20/HMX共晶及其复合物的模拟方法，其特征在于，步骤1所述材料工作站采用软件Materials Studio，晶体信息文件是以X-ray衍射晶体数据为依据的CL-20/HMX共晶的cif文件。

3.根据权利要求1所述的CL-20/HMX共晶基复合物的模拟方法，其特征在于，步骤2所述的建立超包模型，分别沿(001)、(010)、(100)三个晶面处切割超包模型，得到切割模型，具体为：建立2a×3b×2c超包模型，其中a、b、c为CL-20/HMX共晶的晶包参数，然后点击MS任务栏中的Build，选择Surfaces，再选其中的Cleave Surface；在Position部分，设置top的Angstrom值，点击Cleave建立切割模型。

4.根据权利要求1所述的CL-20/HMX共晶基复合物的模拟方法，其特征在于，步骤5所述对切割模型和与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型进行分子动力学模拟，具体为：在MS的Discover模块，对切割模型和与该切割模型对应的高聚物粘结复合物模型进行2ns的分子动力学模拟，后1ns用于收集轨迹，并对收集的轨迹数据进行分析。

5.根据权利要求3所述的CL-20/HMX共晶基复合物的模拟方法，其特征在于，所述Cleave Surface中Cleave plane分别设置为001、010、100。