[发明专利]电压检测与判断电路和具有其的动力电池系统

权利要求书

1.一种电压检测与判断电路，其特征在于，包括：

检测处理模块，所述检测处理模块与电压采样端相连，所述检测处理模块用于根据所述电压采样端采样的电压输出第一检测电压；

检测同类处理模块，所述检测同类处理模块用于仿制所述检测处理模块以生成一个与所述第一检测电压相对应的参考电压；

电流源模块，所述电流源模块分别与所述检测处理模块和所述检测同类处理模块相连，所述电流源模块给所述检测处理模块和所述检测同类处理模块提供偏置电流；

比较处理模块，所述比较处理模块分别与所述检测处理模块和所述检测同类处理模块相连，所述比较处理模块对所述第一检测电压和所述参考电压进行比较处理以输出电压检测信号；

电阻修调模块，所述电阻修调模块连接在所述检测同类处理模块与所述比较处理模块之间，所述电阻修调模块用于根据所述检测同类处理模块的电阻和电流参数对所述电压采样端第一次采样的电压进行电阻修调。

2.如权利要求1所述的电压检测与判断电路，其特征在于，所述检测处理模块通过对所述电压采样端采样的电压进行电平移位处理以输出所述第一检测电压。

3.如权利要求1所述的电压检测与判断电路，其特征在于，所述电流源模块由内部恒流源和电流镜像单元构成。

4.如权利要求3所述的电压检测与判断电路，其特征在于，所述电流镜像单元包括：

第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极和栅极均与所述内部恒流源的正极端相连，所述内部恒流源的负极端接地；

第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极和栅极均与所述第一PMOS管的漏极相连，所述第二PMOS管的漏极与内部供电电源相连；

第三PMOS管，所述第三PMOS管的漏极与所述检测处理模块相连，所述第三PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极相连；

第四PMOS管，所述第四PMOS管的漏极与所述第三PMOS管的源极相连，所述第四PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极相连，所述第四PMOS管的源极与所述内部供电电源相连；

第五PMOS管，所述第五PMOS管的漏极与所述检测同类处理模块相连，所述第五PMOS管的栅极与所述第一PMOS管的栅极相连；

第六PMOS管，所述第六PMOS管的漏极与所述第五PMOS管的源极相连，所述第六PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极相连，所述第六PMOS管的源极与所述内部供电电源相连。

5.如权利要求1所述的电压检测与判断电路，其特征在于，所述检测处理模块包括：

第一电阻，所述第一电阻的一端分别与所述电流源模块和所述比较处理模块相连；

第七PMOS管，所述第七PMOS管的源极与所述第一电阻的另一端相连，所述第七PMOS管的栅极与所述电压采样端相连；

第二电阻，所述第二电阻的一端与所述第七PMOS管的漏极相连，所述第二电阻的另一端接地。

6.如权利要求1所述的电压检测与判断电路，其特征在于，所述检测同类处理模块包括：

第八PMOS管，所述第八PMOS管的源极与所述电阻修调模块相连，所述第八PMOS管的栅极接地；

第三电阻，所述第三电阻的一端与所述第八PMOS管的漏极相连，所述第三电阻的另一端接地。

7.如权利要求6所述的电压检测与判断电路，其特征在于，所述电阻修调模块包括：

修调电阻，所述修调电阻的一端分别与所述电流源模块和所述比较处理模块相连，所述修调电阻的另一端与所述第八PMOS管的源极相连；

熔断器，所述熔断器与所述修调电阻并联。

8.如权利要求1-7中任一项所述的电压检测与判断电路，其特征在于，所述比较处理模块包括：

比较器，所述比较器的正输入端与所述检测同类处理模块相连，所述比较器的负输入端与所述检测处理模块相连；

反相器，所述反相器的输入端与所述比较器的输出端相连，所述反相器的输出端用于输出所述电压检测信号。

9.一种动力电池系统，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的电压检测与判断电路。