[发明专利]一种柔性透明的薄膜型电阻开关及制备方法有效
| 申请号: | 201610398430.2 | 申请日: | 2016-06-07 |
| 公开(公告)号: | CN105932155B | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
| 发明(设计)人: | 李强;田振寰;尚更;云峰 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
| 主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人: | 陆万寿 |
| 地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 柔性 透明 薄膜 电阻 开关 制备 方法 | ||
1.一种柔性透明的薄膜型电阻开关的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)制备一层厚度均匀的固化PDMS薄膜,将PDMS主剂与PDMS硬化剂按体积比10:1比例混合均匀,放置于抽真空腔室中,利用抽真空的方式去除混合液中的气泡;用酒精清洗玻璃基底并用氮气吹干,在玻璃基片上滴入配置完成的PDMS混合液,利用匀胶机制备均匀的PDMS薄膜,厚度在100-800µm之间,然后在90℃下烘烤40分钟;得到厚度均匀的固化PDMS薄膜;
(2)将固化后的PDMS薄膜反贴于一片洁净的硬性基底上,实现PDMS薄膜的转移;
(3)在PDMS薄膜上制备一层ITO薄膜作为下电极;
(4)将作为电极引线的区域进行遮挡,然后利用自组装的方式,在ITO薄膜上平铺一层聚苯乙烯小球,并自然晾干;
(5)利用电子束蒸镀的方式,在ITO薄膜上制备ITO纳米线网络薄膜;
(6)将制备完成的样品放入快速退火炉中300℃氮气氛围下退火3-5分钟;
(7)在ITO纳米线网络薄膜上涂覆条状Ag导电胶,作为Ag电极;
(8)将整个器件从玻璃基底上取下,得到柔性透明的薄膜型电阻开关。
2.根据权利要求1所述的一种柔性透明的薄膜型电阻开关的制备方法,其特征在于,步骤(3)中利用磁控溅射的方式,在低于100℃条件下制备一层300nm厚的ITO薄膜作为下电极。
3.根据权利要求1所述的一种柔性透明的薄膜型电阻开关的制备方法,其特征在于,步骤(4)中聚苯乙烯小球的直径为670nm;步骤(5)中利用电子束蒸镀的方式,按0.1nm/s的速率在280℃下,沉积20分钟,制备得到ITO纳米线网络薄膜。
4.权利要求1至3中任一项所述的制备方法所制备的柔性透明的薄膜型电阻开关,其特征在于,该柔性透明的薄膜型电阻开关为ITO-ITO纳米线-Ag三明治结构,包括柔性透明衬底、设置于柔性透明衬底上的ITO薄膜,ITO薄膜上设有一层ITO纳米线网络,ITO纳米线网络上设有Ag电极,Ag电极为上电极,ITO薄膜上未设置ITO纳米线网络的区域为下电极引线区域,整个柔性透明的薄膜型电阻开关在可见光波段的透过率为70%以上;柔性透明衬底为PDMS薄膜。
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