[发明专利]一种连接装置和升降机构有效
| 申请号: | 201610393605.0 | 申请日: | 2016-06-02 |
| 公开(公告)号: | CN107464771B | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
| 发明(设计)人: | 邓玉春 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 连接 装置 升降 机构 | ||
本发明提供一种连接装置和升降机构,通过在直线轴承套筒的第一法兰上开设第一通孔,将连接立柱的第二端穿过第一通孔,并与第一通孔间隙配合,并利用紧固件将连接立柱的第二端与第一法兰紧固连接,使得实际起到连接作用的连接立柱的长度可灵活调节,从而灵活调节升降轴伸入到工艺腔室内的最大高度;不但可以针对零件加工以及安装误差,调节直线轴承套筒与气缸安装板之间的距离,以保证升降轴伸入到腔室中的最大高度,精确定位取放片工艺位以及去气或退火工艺位,也可以根据加热部件的尺寸,在一定范围内灵活调节直线轴承套筒与气缸安装板之间的距离,提高使用的广泛性。
技术领域
本发明涉及半导体设备制造领域,具体涉及一种连接装置和升降机构。
背景技术
集成电路制造中使用的去气设备以及退火设备通常由晶片装载腔室、传输腔室和工艺腔室等三部分组成,为了将晶片传递到不同的工艺位,需要采用机械手与相应腔室的升降机构协调运动来完成。
在传片工艺中,一种机械手进腔室取放片方式为:机械手伸入腔室后,无z轴升降,通过升降机构带动托架结构实现取放片。具体流程为,取片时升降机构由低位运动到高位,也即带动托架结构将晶片从去气或者退火工艺位升到取放片工艺位,然后升降机构伸入腔室内,升降机构由高位运动到低位,将晶片放到机械手上并由其取出腔室,放片时升降机构在低位处等待机械手将晶片传入腔室内,然后机械手由低位运动到高位,从机械手上得到晶片,机械手退出腔室后升降机构将晶片从取放片工艺位降到去气或者退火工艺位。
图1为现有升降机构,主要由波纹管焊接装配10、直线轴承套筒13、直线轴承14、浮动接头16、连接接头17、双出杆气缸18、连接立柱22、气缸安装板23等组成。其中,波纹管焊接装配10由升降轴101、腔室安装板102以及波纹管103三部分组成,腔室安装板102安装在工艺腔室上,波纹管103具有伸缩功能,因此升降轴101相对腔室安装板102能够实现升降运动,在实际使用中,升降机构竖直安装。直线轴承套筒13与直线轴承14过盈安装,且直线轴承套筒13的一端安装到腔室安装板102上,另一端通过连接立柱22与气缸安装板23连接。双出杆气缸18安装到气缸安装板23上,并通过浮动接头16和连接接头17与升降轴101相连接,能够带动升降轴101在直线轴承14内往复运动。
直线轴承套筒13的底部与气缸安装板23之间的距离(即连接立柱22的长度)决定了升降轴101伸入工艺腔室的最大高度,连接立柱22越长,则升降轴101伸入工艺腔室的最大高度越短,连接立柱22越短,则升降轴101伸入工艺腔室的最大高度越长。
现有的升降机构存在以下技术缺陷:
1、由于零件加工以及安装存在误差,实际使用中升降轴101伸入到腔室中的高度很难保证,进而不能精确定位取放片工艺位以及,去气或退火工艺位。如果取放片工艺位误差较大,将造成升降机构与晶片之间发生较大的碰撞或者刮磨而引入颗粒,甚至会导致传片失败,晶片破碎。如果去气或者退火工艺位误差较大,将可能影响正常的去气或者退火工艺执行,造成晶片加工不合格。
2、由于加热部件的型号和尺寸较多,升降机构配合不同型号的加热部件使用时,需要根据加热部件的尺寸确定加热工艺位的位置,即升降轴101伸入到腔室中的高度,以满足该型号加热部件的加热工艺要求。而现有的升降机构中直线轴承套筒13的底部与气缸安装板23之间的距离固定,导致升降机构无法与不同型号加热部件相匹配,适用性差。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述不足,提供一种连接装置和升降机构,用以解决升降轴伸入到工艺腔室内的最大高度不可调的问题。
本发明为解决上述技术问题,采用如下技术方案:
本发明提供一种连接装置,包括气缸安装板、直线轴承套筒和连接立柱,连接立柱的第一端与气缸安装板固定连接,直线轴承套筒上设置有第一法兰,其特征在于,第一法兰上开设有第一通孔,连接立柱的第二端穿过第一通孔,并与第一通孔间隙配合;
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





