[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置在审
| 申请号： | 201610392502.2 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN107464809A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 杨晓芳;王鷁奇;蔡建祥 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有隔离结构；
在所述半导体衬底上依次形成栅极介电层、栅极材料层和介质层；
图案化依次层叠的所述栅极介电层、栅极材料层和介质层，以形成位于所述隔离结构上的电容器叠层结构和位于所述隔离结构之间的半导体衬底上的MOS晶体管栅极叠层结构；
在所述电容器叠层结构和MOS晶体管栅极叠层结构两侧形成侧壁结构；
沉积内连材料层，覆盖所述介质层、侧壁结构、隔离结构和半导体衬底；
图案化所述内连材料层，以形成第一内连层，通过所述第一内连层将所述MOS晶体管的源极延伸至邻近的所述隔离结构上的电容器叠层结构上。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电容器叠层结构中的栅极材料层、介质层与所述第一内连层构成电容器结构。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述内连材料层的材料包括多晶硅，所述栅极材料层的材料包括多晶硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在图案化所述内连材料层的步骤中，同时形成第二内连层，通过所述第二内连层将所述MOS晶体管的漏极延伸至邻近的所述隔离结构上。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在图案化所述内连材料层之后，位于所述MOS晶体管叠层结构中的介质层被去除，位于所述电容器叠层结构中的介质层被部分去除。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为伪静态随机存取存储器。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，图案化所述内连材料层之后，还包括如下步骤：在所述半导体衬底上形成层间介电层，在所述层间介电层中形成多个接触塞，所述接触塞的底端分别电性连接所述电容器叠层结构中的栅极材料层和所述MOS晶体管的漏极。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，底端电性连接所述电容器叠层结构中的栅极材料层的接触塞的顶端电性连接接地端，底端电性连接所述MOS晶体管的漏极的接触塞的顶端电性连接位线，所述MOS晶体管的栅极材料层作为字线。
9.一种采用权利要求1-8之一所述的方法制造的半导体器件，由所述电容器叠层结构中的栅极材料层、介质层和第一内连层构成的电容器结构作为伪静态随机存取存储器存储单元的一部分，所述MOS晶体管作为所述伪静态随机存取存储器存储单元的另一部分。
10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求9所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
