[发明专利]一种利用微波等离子体化学气相沉积制备α相碳化钼晶体的方法有效
| 申请号： | 201610389645.8 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN106011784B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 赵洪阳;马志斌;蔡康;高攀 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | C23C16/32 | 分类号： | C23C16/32;C23C16/511 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化钼 制备 晶体的 硅片 微波等离子体化学气相沉积 等离子体 腔体 等离子体状态 腔体抽真空 真空微调阀 低温超导 二维晶体 气体流量 气体吸收 气压保持 腔体内部 氢气流量 微波功率 微波能量 电学 氢气 微波源 甲烷 氟化 配比 气压 加热 冷却 清洗 取出 体内 激发 表现 研究 | ||
【说明书】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
